布(bu)魯克(ke) D8 Venture 系(xi)列單晶X射(she)線衍(yan)射(she)儀，布(bu)魯克(ke)衍(yan)射(she)儀D8 Venture系(xi)列單晶衍(yan)射(she)儀是(shi)布(bu)魯克(ke)推出的(de)基(ji)於CMOS二(er)維(wei)探(tan)測器(qi)的(de)壹代(dai)單晶衍(yan)射(she)儀，其主(zhu)要特點為(wei)：
1、采用(yong)Mo及Cu靶(ba)雙靶(ba)同(tong)時配置的方(fang)案(an)
2、的PHOTON100 型CMOS二(er)維(wei)探(tan)測器(qi)具(ju)有(you)免(mian)維(wei)護、高(gao)靈敏度(du)、長(chang)壽命的特點
3、Cu靶采用(yong)IuS微焦(jiao)斑(ban)光(guang)管，強度(du)比(bi)普通的(de)封(feng)閉靶提(ti)高(gao)10倍
4、Mo靶可(ke)選用封閉靶或(huo)IuS微(wei)焦(jiao)斑(ban)光(guang)管
5、元器(qi)件(jian)自(zi)動(dong)識別(bie)，智(zhi)能(neng)化光(guang)路管(guan)理(li)
6、液氮(dan)低(di)溫、液氦低溫系(xi)統可(ke)選 

布(bu)魯克(ke) D8 Venture 系(xi)列單晶X射(she)線衍(yan)射(she)儀，布(bu)魯克(ke)衍(yan)射(she)儀布(bu)魯克(ke) D8 Venture X射(she)線單晶衍(yan)射(she)儀 核(he)心參(can)數

   角度(du)偏(pian)差    0.005

      重(zhong)復性   0.0002

zui小步(bu)進(jin)角度(du)   0.0001

  發(fa)生器(qi)功率(lv)   3-18KW

    儀(yi)器(qi)種類   單晶衍(yan)射(she)儀

主(zhu)要用(yong)於(yu)制(zhi)造(zao)手機(ji)和筆記(ji)本(ben)電(dian)腦及其它(ta)便(bian)攜式電(dian)子(zi)設備的鋰離子電(dian)池(chi)作(zuo)正(zheng)極材(cai)料。 

　　1、名(ming)稱(cheng): 鈷(gu)酸鋰(li) 分(fen)子式: LiCoO2 分子量: 97.88 

　　2、主(zhu)要用(yong)途(tu): 鋰離(li)子電(dian)池(chi) 

　　3、外(wai)觀(guan)要求(qiu): 灰(hui)黑色粉(fen)末, 無(wu)結(jie)塊(kuai) 

　　4、X射(she)線衍(yan)射(she): 對(dui)照(zhao)JCDS標(biao)準( 16-427) , 無(wu)雜相存在(zai) 

    5、包 裝: 鐵(tie)桶(tong)內(nei)塑料袋(dai)包裝(zhuang) 

　　6、化學(xue)成(cheng)分(fen)與(yu)物(wu)化性(xing)能(neng)指(zhi)標(biao): 

　　鎳 Ni 0.05% max (wt%) 

　　錳 Mn 0.01% max (wt%) 

　　鐵 Fe 0.02% max (wt%) 

　　鈣 Ca 0.03% max (wt%) 

　　鈉 Na 0.01% max (wt%) 

　　酸堿(jian)性(xing) PH 9.5-11.5 

　　含(han)水量(liang)( 105ºC幹燥(zao)失(shi)重(zhong)量(liang), %) Moisture (wt% loss at 105ºC) <0.05 

　　比(bi)表面(mian)積(ji)( m2/g) BET surface Area (m2/g) 0.2-0.6 

　　振實(shi)密度 (g/cm3) Tap Density (g/cm3) 1.7-2.9 

　　粒(li)徑大小-D50 (μm) PSD- D50 (μm) 5-12 

　　粒徑大小-D10 (μm) PSD- D10 (μm) 1-5 

　　粒徑大小-D90 (μm) PSD-D90 (μm) 12-2