儀器(qi)型(xing)號(hao)：牛津(jin)EDX 二(er)手(shou) X-Max 80平(ping)方 能譜儀

生(sheng)產(chan)廠家:英國(guo)牛津(jin)儀(yi)器公司

工(gong)作(zuo)原(yuan)理主(zhu)要技(ji)術(shu)指標(biao)：

能(neng)譜儀(yi)與場發(fa)射電(dian)鏡聯(lian)用(yong)，高能電(dian)子(zi)入(ru)射到(dao)樣(yang)品表面(mian)，激發出X射線，能(neng)譜(pu)儀探頭緊(jin)靠樣(yang)品，高效(xiao)收(shou)集X射線，進(jin)行(xing)快速(su)元(yuan)素定(ding)性、定(ding)量分(fen)析(xi)。

探(tan)測(ce)器(qi)：SDD矽(gui)漂(piao)移(yi)電(dian)制(zhi)冷(leng)探測器

能量分(fen)辨(bian)率(lv)：MnKa優於(yu)127eV

元(yuan)素分(fen)析(xi)範(fan)圍(wei)：Be4—Cf98

主(zhu)要用途(tu)：

與場發(fa)射電(dian)鏡SEM聯(lian)用(yong)，進(jin)行(xing)材料(liao)微(wei)區(qu)成(cheng)分(fen)分(fen)析(xi)，單(dan)顆(ke)粒(li)自動(dong)識別及成(cheng)分(fen)形(xing)貌分(fen)析(xi)。

牛津(jin)EDX 二(er)手(shou) X-Max 80平(ping)方 能譜儀Max系列能譜(pu)儀，有(you)效(xiao)晶體(ti)面(mian)積為 40mm2,65mm2,100mm2以及170mm2，是新(xin)壹(yi)代(dai)矽(gui)漂(piao)移(yi)型(xing)探(tan)測(ce)器（SDD)，配有大(da)面(mian)積晶體(ti)和(he)低噪音(yin)電子(zi)元(yuan)器(qi)件(jian)，分(fen)析(xi)速(su)度(du)和(he)探(tan)測靈敏性都(dou)有大(da)幅提升。

速(su)度(du) - 低噪音(yin)電子(zi)元(yuan)器(qi)件(jian)和(he)X4脈(mai)沖(chong)處(chu)理器的(de)結合(he)，使(shi)Ultim Max能夠(gou)在(zai)1,500,000 cps的計(ji)數率(lv)下對樣(yang)品進(jin)行(xing)面(mian)分(fen)析(xi)，並(bing)在(zai)400,000 cps計數(shu)率下(xia)進(jin)行(xing)精(jing)確定(ding)量。

靈敏度(du) - 晶體(ti)尺(chi)寸有(you)著很(hen)大(da)影響。使(shi)用Ultim Max的(de)大(da)面(mian)積晶體(ti)（100 mm2和(he)170 mm2），可(ke)大(da)幅提高分(fen)析(xi)條(tiao)件下(xia)的計(ji)數率(lv)。

• X-MaxN 為低能端(duan)元素的分(fen)析(xi)做(zuo)了巨大(da)的優化(hua)——無論何(he)種尺(chi)寸，表現(xian)出優異的低能端(duan)分(fen)析(xi)性(xing)能(neng)

• 所有(you)尺(chi)寸的(de)能譜(pu)儀(yi)均(jun)可(ke)保(bao)證(zheng)檢測到(dao)Be，可獲得(de)SiLI峰(feng)的(de)面(mian)分(fen)布(bu)

• 超(chao)大(da)面(mian)積的能(neng)譜儀(yi)——均(jun)具(ju)有(you)優異的低能端(duan)分(fen)析(xi)性(xing)能(neng)

• 優異的空間分(fen)辨(bian)率(lv)
  高空間(jian)分(fen)辨(bian)率(lv)，X射線擴展(zhan)區(qu)域(yu)更小

• 大(da)面(mian)積能譜(pu)儀可(ke)以(yi)在(zai)低加速電(dian)壓及低束(shu)流下采(cai)集X-射線

• 納(na)米(mi)尺(chi)度(du)的(de)特征(zheng)可以(yi)更(geng)好(hao)的被(bei)檢測到(dao)

• 超(chao)大(da)面(mian)積的能(neng)譜儀(yi)——使(shi)高級的(de)納(na)米分(fen)析(xi)成(cheng)為可能(neng)

• 150 mm2 的能譜儀(yi)比小晶體(ti)面(mian)積的優勢(shi)在(zai)哪裏(li)？
  舉例(li)為證(zheng)。加速電(dian)壓20kV，束(shu)流不到(dao)2nA時，150 mm2 的(de)能(neng)譜(pu)儀每(mei)秒即(ji)可輸出200,000的(de)計(ji)數。而使(shi)用10 mm2 的(de)能(neng)譜(pu)儀時，需(xu)要近20nA下(xia)才可達(da)到(dao)相同(tong)的(de)計(ji)數率。

• 下(xia)圖顯(xian)示(shi)不同(tong)束(shu)流下的典型(xing)計(ji)數率，20kV下分(fen)析(xi)純(chun)Mn時(shi)，探(tan)測器(qi)檢出角(jiao)30°且(qie)距(ju)樣(yang)品45mm。使(shi)用大(da)面(mian)積能譜(pu)儀，無需增(zeng)加束(shu)流即可極大(da)地增大(da)計數(shu)率。也(ye)就是說(shuo)在(zai)低束(shu)流下，保證(zheng)高空間(jian)分(fen)辨(bian)率(lv)及低輻照(zhao)損傷的同時可以(yi)獲得(de)足(zu)夠(gou)多(duo)的計數(shu)。左圖顯(xian)示(shi)束(shu)流增加對改(gai)善(shan)圖像質(zhi)量的影響。

• 點(dian)擊(ji)圖像可(ke)查看(kan)大(da)圖

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• 束(shu)流對納米材料(liao)分(fen)析(xi)的(de)影(ying)響

• 當使(shi)用晶體(ti)面(mian)積小的能(neng)譜儀(yi)，需(xu)要高束(shu)流來(lai)滿足(zu)足(zu)夠的(de)計數率(lv)，但會損害空間分(fen)辨(bian)率(lv)。超(chao)大(da)面(mian)積能譜(pu)儀X-MaxN 150可(ke)以(yi)在(zai)低束(shu)流即高空間(jian)分(fen)辨(bian)率(lv)下(xia)獲得(de)足(zu)夠(gou)多(duo)計數，因此可(ke)以成(cheng)功實(shi)現(xian)納米(mi)材料(liao)的檢測與分(fen)析(xi)。

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• 右圖：納(na)米結構(gou)在(zai)5kV下的(de)X-射線面(mian)分(fen)布(bu)。計(ji)數率相同(tong)時(shi)，150mm2的(de)能譜(pu)儀所需(xu)束(shu)流更低，意味(wei)著空間分(fen)辨(bian)率(lv)足(zu)夠(gou)高可以(yi)分(fen)辨(bian)出(chu)納(na)米(mi)尺(chi)度(du)的(de)變(bian)化(hua)，且極大(da)地減弱(ruo)了樣(yang)品的輻照(zhao)損傷。相反，10mm2的能譜(pu)儀(yi)則(ze)需(xu)要更高的束(shu)流，卻會嚴重(zhong)損害空間分(fen)辨(bian)率(lv)，使(shi)得(de)面(mian)分(fen)布(bu)圖像模(mo)糊不(bu)清。

  
  

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• 右圖：在(zai)0.2 nA, 3 kV下使(shi)用150 mm2 X-MaxN 的(de)能(neng)譜(pu)儀對記憶(yi)合(he)金中(zhong)的納(na)米結構(gou)進(jin)行(xing)分(fen)析(xi)。可(ke)以(yi)觀察到(dao)FeLa，NiLa及CuLa峰顯(xian)示(shi)出的(de)納米(mi)結構(gou)分(fen)布(bu)差(cha)異，zei小可以(yi)區(qu)分(fen)出(chu)20nm寬度(du)的(de)結構(gou)。