維(wei)修(xiu) 島(dao)津EDX全系(xi)列(lie) 光(guang)管+高(gao)壓(ya)+檢(jian)測(ce)器服務(wu)涵(han)蓋(gai)硬件更(geng)換、軟(ruan)件調(tiao)試(shi)及(ji)系(xi)統(tong)恢復，具體(ti)費用和(he)方案因(yin)故(gu)障(zhang)類型(xing)而異(yi)。X射(she)線管(guan)，高(gao)壓(ya)發(fa)生器(qi)SDD檢(jian)測(ce)器(qi)。常(chang)用的(de)EDX探測(ce)器是(shi)矽滲鋰探測(ce)器(qi)。當(dang)特征X射(she)線光(guang)子進(jin)入矽滲鋰探測(ce)器(qi)後(hou)便將矽原子(zi)電離(li)，產生若幹(gan)電子(zi)-空(kong)穴對(dui)，其數量(liang)與(yu)光(guang)子的能量(liang)成(cheng)正(zheng)比(bi)。利(li)用(yong)偏壓收(shou)集(ji)這(zhe)些(xie)電子(zi)空(kong)穴對(dui)，經(jing)過(guo)壹系(xi)列(lie)轉(zhuan)換器(qi)以後變成(cheng)電壓(ya)脈沖供(gong)給多脈沖高(gao)度分析(xi)器，並(bing)計(ji)數(shu)能(neng)譜中(zhong)每(mei)個能帶(dai)的脈沖數。

島津(jin)EDX系(xi)列(lie)的(de)X射(she)線管(guan)參數(shu)因(yin)具體(ti)型(xing)號不同有(you)所差(cha)異(yi)，以下(xia)是(shi)主要型(xing)號的參(can)數匯(hui)總(zong)：

基礎參數(shu)

靶(ba)材(cai)：Rh靶(ba)（銠靶(ba)）

最(zui)大(da)電壓(ya)：50 kV

最(zui)大(da)電流(liu)：1.0 mA

最(zui)大(da)功率(lv)：50 W

燈(deng)絲電流(liu)：1.7 A

最(zui)高(gao)溫(wen)度：55℃

高(gao)壓(ya)發(fa)生器(qi)參(can)數(shu)

輸(shu)出電壓(ya)範(fan)圍(wei)：4 kV至(zhi)50 kV

輸(shu)出電流(liu)：0至額(e)定輸(shu)出

控(kong)制(zhi)方(fang)式(shi)：現場(chang)控(kong)制(zhi)、遙(yao)控(kong)控(kong)制(zhi)

安(an)全功能(neng)：

安(an)全聯(lian)鎖(suo)裝(zhuang)置(zhi)

過(guo)壓(ya)保(bao)護(hu)

設(she)計(ji)標(biao)準(zhun)：符合

安(an)全規範(fan) ‌‌

型(xing)號特性(xing)

（部分(fen)型(xing)號） ‌‌

EDX系(xi)列(lie)：Si(Li)半導體(ti)檢測(ce)器(qi)或(huo)Si漂移檢測(ce)器，分(fen)析(xi)範(fan)圍(wei)11Na至(zhi)92U ‌‌

維(wei)修(xiu) 島(dao)津EDX全系(xi)列(lie) 光(guang)管+高(gao)壓(ya)+檢(jian)測(ce)器儀器(qi)維(wei)修(xiu)型(xing)號：EDX-7200,EDX-720,EDX-700,EDX-LE,EDX-GP,EDX-7000,EDX-8100,EDX-8000