該(gai)設(she)備(bei)擁(yong)有(you)12條輸(shu)氣(qi)管線(xian)，可以(yi)適(shi)應各(ge)種(zhong)氣(qi)體的需求，包(bao)括C4F8、CF4、O2、Ar、CO、CO2、O2、CHF3、HBr、N2、SF6、H2等(deng)，這為它(ta)在(zai)不同(tong)的蝕刻(ke)環(huan)境(jing)中(zhong)提供(gong)了靈(ling)活(huo)性(xing)和適(shi)應性(xing)。同(tong)時(shi)，單(dan)室(shi)自(zi)制手動(dong)的特(te)點(dian)使(shi)得(de)操作(zuo)更加便(bian)捷，大(da)大提高(gao)了工(gong)作(zuo)效率(lv)。

雙(shuang)頻射(she)頻控(kong)制(zhi)

高(gao)低(di)頻獨(du)立(li)調(tiao)節(jie)（如2MHz/60MHz），精準(zhun)控(kong)制(zhi)等離(li)子(zi)體能(neng)量與(yu)密(mi)度，平衡(heng)各(ge)向異性(xing)刻(ke)蝕與(yu)材料(liao)選擇性(xing)

自(zi)適(shi)應工(gong)藝控制(zhi)（APC）

集成(cheng)實(shi)時傳(chuan)感器(qi)與(yu)閉環(huan)反(fan)饋(kui)，動(dong)態調(tiao)整(zheng)氣(qi)體流(liu)量壓(ya)力(li)[射頻功(gong)率(lv)

以(yi)下(xia)是(shi)二(er)手(shou) Lam Research 2300_Flex45 刻(ke)蝕機(ji)的核(he)心參數(shu)清單(dan)（基於該系(xi)列設(she)備的公開技(ji)術信(xin)息整(zheng)理）：

壹、基礎(chu)參(can)數(shu)

• 適(shi)用晶圓(yuan)尺寸：300mm（12英寸）

• 設(she)備類(lei)型：金屬(shu)/絕(jue)緣(yuan)膜等(deng)離(li)子(zi)體刻蝕機(ji)

• 生(sheng)產年(nian)份(fen)：2023

• 制(zhi)造商(shang)：Lam Research（泛林(lin)集(ji)團）

二(er)、工(gong)藝能(neng)力

• 刻(ke)蝕對(dui)象(xiang)：金屬(shu)層（如Cu、Al等）、絕(jue)緣(yuan)膜（如(ru)SiO₂、低(di)k介(jie)質）

• 支持制(zhi)程(cheng)：邏(luo)輯芯片/存儲芯片的28nm及(ji)以(yi)下(xia)*制(zhi)程(cheng)（Flex45系(xi)列主(zhu)打(da)*節(jie)點(dian)）

• 使(shi)用氣(qi)體：Cl₂、BCl₃等刻(ke)蝕氣(qi)體（與備(bei)註(zhu)信(xin)息壹(yi)致(zhi)）

三、性(xing)能(neng)指(zhi)標

• 刻(ke)蝕選擇性(xing)：對(dui)金屬/介質(zhi)層(ceng)的選擇性(xing)＞50:1（保證刻(ke)蝕精度）

• 均勻(yun)性(xing)：晶圓(yuan)內刻蝕均(jun)勻(yun)性(xing)＜3%（3σ）

• 產能(neng)：約80~120片/小(xiao)時（取(qu)決(jue)於具體工藝步驟）

四(si)、設(she)備(bei)配置

• 晶圓(yuan)傳輸(shu)：多腔室(shi)+自(zi)動(dong)化晶圓(yuan)處(chu)理系(xi)統

• 控(kong)制系(xi)統：Lam自(zi)研的制程(cheng)控制(zhi)軟(ruan)件（支(zhi)持實(shi)時工(gong)藝監(jian)控）

• 安全配置：氣(qi)體泄(xie)漏檢(jian)測、等(deng)離(li)子(zi)體防護(hu)等半導體產線(xian)標準(zhun)安全模(mo)塊(kuai)