安接倫二(er)手(shou)icp-ms電感(gan)耦(ou)合(he)等離子體質(zhi)譜(pu)儀(yi)技(ji)術參數(shu)：
1. 靈(ling)敏(min)度(du)： 
低(di)質(zhi)量數(shu) Li(7): 50 Mcps/ppm； 
中(zhong)質(zhi)量數(shu) Y(89): 60 Mcps/ppm（7700x)； 240 Mcps/ppm(7700s) ；
(高質(zhi)量數(shu) Tl(205): 80 Mcps/ppm(7700x)； 120 Mcps/ppm(7700s)；
根(gen)據(ju)用(yong)戶特殊(shu)需求(qiu)，如(ru)激(ji)光、核工業(ye)、半(ban)導體材(cai)料等應(ying)用，可提(ti)供(gong)超高靈(ling)敏(min)度(du)功(gong)能(neng) 
2. 檢測(ce)限： 
低(di)質(zhi)量數(shu) Be(9): 0.5 ppt； 
中(zhong)質(zhi)量數(shu) In(115): 0.1 ppt 
高質(zhi)量數(shu) Bi(209): 0.1 ppt 
3. 氧(yang)化物幹(gan)擾: CeO+/Ce+:1.5 %(7700x)；  3.0 %(7700s)；
4. 雙(shuang)電(dian)荷(he)幹(gan)擾: Ce2+/Ce+:3.0 % 
5. 同(tong)位(wei)素(su)比(bi)精(jing)度(du): RSD(107Ag/109Ag) 0.1% 
6. 質譜(pu)範(fan)圍(wei)：2 - 260 amu； 
7 豐(feng)度(du)靈(ling)敏(min)度(du) 
低(di)質(zhi)量端(duan): 5 x 10-7 
高質(zhi)量端(duan): 1 x 10-7 
主要特點(dian)：
尺(chi)寸小(xiao)的ICP-MS 
靈(ling)敏(min)度(du)的碰撞(zhuang)池(chi)-第(di)三代ORS3 
純氣(qi)碰撞(zhuang)池(chi)：只用He氣(qi)就可(ke)以消(xiao)除所(suo)有幹(gan)擾。 
耐(nai)高鹽的ICP-MS: HMI技術（TDS>3%） 
ICP離子源技術：數字(zi)控(kong)制(zhi)式諧(xie)頻ICP發生(sheng)器 
有機(ji)溶(rong)劑(ji)進樣(yang)不(bu)熄火(huo)！ 
分(fen)析速度(du)快(kuai)：ISIS-DS技(ji)術 
容易維護和清洗(xi) 
強的色譜(pu)聯機(ji)功(gong)能(neng)：真正的壹體化(hua) 
功(gong)能(neng)強的軟(ruan)件：MassHunter系(xi)統(tong)，實現(xian)實時(shi)QA/QC 
偏移標(biao)示(shi)，自動化(hua)控(kong)制(zhi)等(deng)

安接倫(lun)二手(shou)icp-ms儀器工作原理(li)

ICP-MS所用電(dian)離源是感應(ying)耦(ou)合(he)等離子體(ICP)，它(ta)與(yu)原子發射光譜(pu)儀(yi)所(suo)用(yong)的ICP是壹樣(yang)的，其主體是(shi)壹個由(you)三(san)層石(shi)英(ying)套管(guan)組成(cheng)的炬管(guan)，炬管(guan)上端(duan)繞(rao)有負載(zai)線圈，三層(ceng)管(guan)從(cong)裏到(dao)外(wai)分別(bie)通載氣(qi)，輔助(zhu)氣(qi)和冷(leng)卻氣(qi)，負載(zai)線圈由(you)高頻電(dian)源(yuan)耦(ou)合(he)供(gong)電，產(chan)生(sheng)垂直(zhi)於(yu)線圈平面(mian)的磁場(chang)。如(ru)果通過高頻裝(zhuang)置使(shi)氬氣(qi)電離，則(ze)氬(ya)離子和電子(zi)在(zai)電(dian)磁場作(zuo)用(yong)下(xia)又(you)會(hui)與(yu)其它氬原(yuan)子碰撞(zhuang)產(chan)生(sheng)更多(duo)的離子和電子(zi)，形成(cheng)渦流。強(qiang)大(da)的電流(liu)產生(sheng)高溫(wen)，瞬間使(shi)氬氣(qi)形成(cheng)溫(wen)度(du)可達(da)10000k的等離子焰炬。樣(yang)品(pin)由(you)載(zai)氣(qi)帶入(ru)等離子體焰(yan)炬會(hui)發生(sheng)蒸(zheng)發、分(fen)解(jie)、激發和(he)電(dian)離，輔助氣(qi)用來(lai)維持(chi)等離子體，需要量大(da)約(yue)為1 L/min。冷(leng)卻氣(qi)以切(qie)線方(fang)向(xiang)引(yin)入(ru)外(wai)管(guan)，產生(sheng)螺旋形氣(qi)流，使(shi)負載(zai)線圈處(chu)外(wai)管(guan)的內(nei)壁(bi)得到(dao)冷(leng)卻，冷(leng)卻氣(qi)流量為10-15 L/min。

常用(yong)的進樣(yang)方(fang)式是利(li)用(yong)同(tong)心(xin)型或(huo)直角(jiao)型氣(qi)動霧(wu)化器產生(sheng)氣(qi)溶(rong)膠(jiao)，在(zai)載(zai)氣(qi)載帶(dai)下(xia)噴入(ru)焰(yan)炬(ju)，樣(yang)品(pin)進樣(yang)量大(da)約(yue)為1 mL/min，是靠(kao)蠕動(dong)泵(beng)送(song)入(ru)霧(wu)化器的。

在(zai)負載(zai)線圈上面約10 mm處(chu),焰炬(ju)溫度大約為8000 K,在(zai)這(zhe)麽(me)高的溫度(du)下(xia),電離能(neng)低(di)於(yu)7 eV的元素(su)*電離，電離能(neng)低(di)於(yu)10.5 eV的元素(su)電離度大於(yu)20%。由(you)於(yu)大部(bu)分重(zhong)要的元素(su)電離能(neng)低(di)於(yu)10.5 eV，因此(ci)具有很(hen)高的靈(ling)敏(min)度(du)，少數(shu)電(dian)離能(neng)較(jiao)高的元素(su)，如(ru)C、O、Cl、Br等(deng)也能(neng)檢測(ce)，只是靈(ling)敏(min)度(du)較(jiao)低(di)。

ICP-MS由(you)ICP焰(yan)炬，接(jie)口(kou)裝置和(he)質(zhi)譜(pu)儀(yi)三(san)部(bu)分組(zu)成(cheng);若使(shi)其具有好(hao)的工作(zuo)狀態(tai)，必(bi)須設置各(ge)部(bu)分的工作(zuo)條件。