產(chan)品(pin)名(ming)稱:維修(xiu)島津EDX-7000/8000--SDD檢(jian)測(ce)器(qi)
產(chan)品(pin)型(xing)號(hao):
更新時間(jian):2025-08-28
產(chan)品(pin)特點:維修(xiu)島津EDX-7000/8000--SDD檢(jian)測(ce)器(qi) SDD探(tan)測(ce)器(qi)廣泛的應(ying)用(yong)於XRF分析(xi)儀(yi)器(qi)制(zhi)備,科學(xue)研究以及(ji)宇宙(zhou)探(tan)索等(deng)諸多(duo)領(ling)域(yu)
產(chan)品(pin)詳(xiang)細資料:
維修(xiu)島津EDX-7000/8000--SDD檢(jian)測(ce)器(qi)FAST SDD代表(biao)Amptek高性能的矽漂(piao)移檢(jian)測(ce)器(qi)(SDD),能夠在(zai)保持(chi)分辨(bian)率的同(tong)時(shi),計數率超(chao)過(guo)1000000 CPS(每秒(miao)計數)。FAST SDD還(hai)可(ke)與C系(xi)列(Si3N4)低能窗壹起(qi)使用,用於軟x射(she)線(xian)分析(xi)。


與傳(chuan)統(tong)SDD不(bu)同(tong),FAST SDD在(zai)密封(feng)的TO-8封(feng)裝內(nei)使用結柵場(chang)效(xiao)應晶(jing)體(ti)管(guan)(JFET)和(he)外部前(qian)置(zhi)放(fang)大(da)器(qi),在(zai)TO-8封(feng)裝內(nei)部使用互補的金(jin)屬(shu)氧化物(wu)半導(dao)體(ti)(CMOS)前(qian)置(zhi)放(fang)大(da)器(qi),並(bing)用(yong)金(jin)屬(shu)氧化物(wu)半導(dao)體(ti)場(chang)效(xiao)應管(guan)(MOSFET)代(dai)替(ti)JFET。這(zhe)降(jiang)低了(le)電容(rong),提(ti)供(gong)了(le)更(geng)低(di)的串(chuan)聯噪(zao)聲(sheng),並(bing)在(zai)極短(duan)的峰(feng)值時(shi)間(jian)內提(ti)高了(le)分辨(bian)率。FAST SDD使用相同的檢(jian)測(ce)器(qi),但前(qian)置(zhi)放(fang)大(da)器(qi)在(zai)短(duan)峰(feng)值時(shi)間(jian)內提(ti)供(gong)較(jiao)低(di)的噪(zao)聲(sheng)。改進的(較(jiao)低(di)的)分辨(bian)率能夠隔(ge)離/分離具(ju)有(you)接近(jin)能量值(zhi)的熒(ying)光X射線(xian),否(fou)則(ze)峰(feng)值將(jiang)重疊,從而(er)允(yun)許用(yong)戶更(geng)好(hao)地識(shi)別其樣(yang)品(pin)中的所(suo)有(you)元素(su)。峰(feng)值時(shi)間(jian)短(duan)也會提(ti)高計數率;更(geng)多(duo)的計(ji)數提(ti)供(gong)更(geng)好(hao)的統(tong)計(ji)數據(ju)。
維修(xiu)島津EDX-7000/8000--SDD檢(jian)測(ce)器(qi)特點有(you):
1. 高計數率。由於收集陽極(ji)的電容(rong)極低(di),相比通常的矽PIN器(qi)件,SDD具(ju)有(you)更短(duan)的上(shang)升(sheng)時間(jian),因(yin)而(er)特別適合(he)在(zai)高計數率的情(qing)況下工作(zuo)。
2. 高能量分辨(bian)率。SDD的陽極(ji)面(mian)積小於通常矽PIN器(qi)件,由於電容(rong)的減(jian)小(xiao),在(zai)收集等(deng)量電荷(he)的情(qing)況下具(ju)有(you)更高的電壓(ya),提(ti)高了(le)其(qi)能量分辨(bian)率。
3. 可(ke)在(zai)常溫下工作(zuo)。SDD的電容(rong)和漏(lou)電流(liu)要比壹般探(tan)測(ce)器(qi)小兩(liang)個(ge)數量級以(yi)上(shang),通常把場(chang)效(xiao)應管(guan)(FET)和(he)Peltier效(xiao)應器(qi)件都(dou)整(zheng)合(he)到壹(yi)起,這(zhe)樣(yang)儀(yi)器(qi)在(zai)常溫下就(jiu)能滿足(zu)SDD的制(zhi)冷需(xu)求,特別適用(yong)於便攜式(shi)設(she)備的現(xian)場(chang)使用。
根據國家(jia)地質實(shi)驗測(ce)試中心(xin)的報告(gao),SDD探(tan)測(ce)器(qi)從1962年(nian)以Si探(tan)測(ce)器(qi)問世(shi)以(yi)來(lai),Si-PIN、高純及四葉(ye)花(hua)瓣(ban)型(xing)Ge探(tan)測(ce)器(qi)、Si漂(piao)移、SDD等(deng)不(bu)同(tong)性能的探(tan)測(ce)器(qi), SDD探(tan)測(ce)器(qi)在(zai)計算(suan)數與制(zhi)造工藝的穩(wen)定(ding)性方(fang)面(mian)取得(de)突(tu)破(po),從而(er)替(ti)代(dai)復雜的波(bo)長色(se)散(san)X射(she)線(xian)光譜儀的Si-pIN探(tan)測(ce)器(qi)。
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