維修 AMPTEK矽漂移(yi)探測器(qi)FAST SDD：性能(neng)特點(dian)：

• 25 mm2的活(huo)動面積校準(zhun)為17 mm2

• 也(ye)可提(ti)供70 mm2準(zhun)直(zhi)至50 mm2

• 9 keV時的122 eV FWHM分(fen)辨率

• 計數率(lv)>1000000 CPS

• 高(gao)峰值(zhi)與背(bei)景比–26000/1

• 前置放大器(qi)輸(shu)出上(shang)升時(shi)間(jian)<35 ns

• 窗(chuang)口：Be（5密(mi)耳）12.5µm，或C系(xi)列(lie)（Si3N4）

• 抗輻射

• 探測器(qi)厚度(du)500µm

• TO-8包裝

• 冷(leng)卻(que)ΔT>85 K

• 多(duo)層準(zhun)直(zhi)器(qi)

技(ji)術(shu)參數：

• 探測器(qi)類(lei)型：帶CMOS前(qian)置(zhi)放大器(qi)的矽漂移(yi)檢(jian)測器(qi)（SDD）

• 探測器(qi)尺(chi)寸：25 mm2-校準(zhun)至17 mm2，也(ye)可提(ti)供70mm2-準(zhun)直(zhi)至50mm2

• 矽厚度(du)：500µm或1000um可用

• 準(zhun)直(zhi)器(qi)內(nei)部(bu)：多(duo)層準(zhun)直(zhi)器(qi)（ML）

• 4µs峰(feng)值(zhi)時間(jian)下(xia)5.9 keV（55Fe）：122-129 eV FWHM時(shi)的能(neng)量(liang)分辨率（保(bao)證(zheng)）

• 峰值(zhi)與背景：20000:1（計數比從(cong)5.9 keV到1 keV）（典型）

• 探測器(qi)窗(chuang)口選(xuan)項(xiang)：鈹（Be）：0.5密(mi)耳（12.5µm）或0.3密(mi)耳（8µm），C系(xi)列(lie)（Si3N4）低能(neng)耗窗(chuang)戶(hu)

• 電(dian)荷敏感型前(qian)置(zhi)放大器(qi)：CMOS

• 增益穩定性：<20 ppm/°C（典型）

• 總(zong)功(gong)率：<2瓦(wa)

• 設備(bei)壽(shou)命(ming)：通(tong)常(chang)為5至10年，具體(ti)取決(jue)於使(shi)用情(qing)況

• 操(cao)作條件(jian)：-35°C至+80°C

• 長期(qi)儲(chu)存(cun)：在幹(gan)燥(zao)環境中(zhong)儲(chu)存(cun)10年以(yi)上

• 典型儲(chu)存(cun)和運(yun)輸(shu)：-40°C至+85°C，濕度(du)10至90%，不凝結

• 產地：美(mei)國(guo)

-尺(chi)寸

• 探測器(qi)模(mo)塊：TO-8封裝（0.640英寸高(gao)，包括(kuo)銷(xiao)，0.600英寸直(zhi)徑）

• XR100盒(he)：3.00 x 1.75 x 1.13英寸（7.6 x 4.4 x 2.9厘(li)米(mi)）

• X-123箱(xiang)：3.94 x 2.67 x 1.0英寸（10.0 x 6.78 x 2.54厘(li)米(mi)）

• 原(yuan)始(shi)設備(bei)制(zhi)造(zao)商(shang)：配(pei)置(zhi)各(ge)不相同(tong)

-重量(liang)

• 探測器(qi)模(mo)塊：0.14箱(xiang)（4.1克(ke)）

• XR100盒(he)：4.4盎司(si)（125克(ke)）

• X-123箱(xiang)：6.3盎(ang)司(si)（180克(ke)）

• 原(yuan)始(shi)設備(bei)制(zhi)造(zao)商(shang)：配(pei)置(zhi)各(ge)不相同(tong)

維修 AMPTEK矽漂移(yi)探測器(qi)FAST SDD下(xia)圖顯示使(shi)用標準(zhun)0.5mmFASTSDD和(he)新的1.0mmFASTSDD測試多(duo)元素樣(yang)品(pin)譜(pu)圖。15keV以(yi)上能(neng)量(liang)，更(geng)厚的探頭(tou)能量(liang)響應效(xiao)率更(geng)高(gao)，10keV以(yi)下所有的能(neng)量(liang)效率(lv)和分(fen)辨率相(xiang)同(tong)。