維(wei)修 更換(huan) AMPTEK SDD檢測(ce)器(qi)工作(zuo)原理

SDD 探(tan)測(ce)器(qi)的主要(yao)結構(gou)是壹(yi)塊(kuai)低(di)摻(chan)雜(za)的高阻矽(gui)，背面輻(fu)射(she)入(ru)射(she)處有(you)壹(yi)層(ceng)很(hen)薄的異(yi)質突變(bian)結，正面異(yi)質摻雜(za)電(dian)極設(she)計(ji)成間(jian)隔(ge)很短的條紋(wen)。反(fan)轉(zhuan)偏置場在電(dian)極間(jian)逐(zhu)步(bu)增(zeng)加，形成平行表(biao)面的電(dian)場分(fen)量(liang)。耗盡(jin)層(ceng)電(dian)離(li)輻(fu)射(she)產生(sheng)的電(dian)子(zi)受(shou)該(gai)電(dian)場力(li)驅(qu)動(dong)，向(xiang)極(ji)低(di)電(dian)容的收集(ji)陽(yang)極(ji) “漂移"，形成計數電(dian)流。

產品(pin)特點(dian)

高計數(shu)率：由於收集(ji)陽(yang)極(ji)的電(dian)容極(ji)低(di)，相比(bi)通常(chang)的矽(gui) PIN 器(qi)件(jian)，SDD 具有更短的上(shang)升時(shi)間(jian)，因(yin)而(er)特別(bie)適(shi)合(he)在高計數(shu)率的情況(kuang)下(xia)工作(zuo)，計(ji)數(shu)率(lv)可達(da) 1,000,000 CPS 以(yi)上(shang)。

高能(neng)量(liang)分(fen)辨(bian)率：SDD 的陽(yang)極(ji)面積(ji)小(xiao)於(yu)通常(chang)矽(gui) PIN 器(qi)件(jian)，電(dian)容減(jian)小(xiao)，在收(shou)集(ji)等量(liang)電(dian)荷的情況(kuang)下(xia)具有更高的電(dian)壓，提高了其(qi)能(neng)量(liang)分(fen)辨(bian)率。如 70 mm² 的 FAST SDD 探(tan)測(ce)器(qi)，在 5.9 keV 時(shi)能(neng)量(liang)分(fen)辨(bian)率可達(da) 123 eV FWHM。

可(ke)在常(chang)溫(wen)下(xia)工作(zuo)：SDD 的電(dian)容和漏(lou)電(dian)流比(bi)壹(yi)般(ban)探(tan)測(ce)器(qi)小(xiao)兩個(ge)數量(liang)級(ji)以(yi)上(shang)，通常(chang)把場(chang)效(xiao)應管(guan)（FET）和珀(po)爾帖(tie)效(xiao)應器(qi)件(jian)整(zheng)合(he)到(dao)壹(yi)起，常溫(wen)下(xia)就能(neng)滿足制(zhi)冷(leng)需求(qiu)，適用於(yu)便攜式設(she)備(bei)。

增(zeng)益穩定性高：采用(yong) CMOS 電(dian)荷靈(ling)敏(min)前置(zhi)放(fang)大器(qi)，增(zeng)益穩定性 < 20 ppm/°C。

主要(yao)型號及參數(shu)

維(wei)修(xiu) 更換 AMPTEK SDD檢測(ce)器(qi)應用(yong)領域

超快速臺(tai)式(shi)和手(shou)持式 XRF 分(fen)析(xi)儀：用於(yu)快速分(fen)析(xi)樣品中(zhong)的元(yuan)素(su)成分(fen)。

掃(sao)描(miao)電(dian)鏡（SEM）中(zhong)的 EDS 系(xi)統(tong)：作(zuo)為(wei) EDS 系(xi)統(tong)的壹(yi)部(bu)分(fen)，用(yong)於掃描(miao) / 繪制(zhi)樣品譜圖(tu)，分(fen)析(xi)樣品的元(yuan)素(su)分(fen)布(bu)。

在線(xian)流(liu)程控(kong)制(zhi)：可實(shi)時(shi)監(jian)測生(sheng)產流(liu)程中(zhong)的元(yuan)素(su)變(bian)化，實(shi)現質量(liang)控(kong)制(zhi)。

X 射線分(fen)揀(jian)機(ji)：根(gen)據元(yuan)素(su)成分(fen)對(dui)物品(pin)進行(xing)分(fen)揀(jian)。