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        1. 產品(pin)展(zhan)示(shi)首頁(ye) > 產品(pin)展(zhan)示 > 二手(shou)電(dian)鏡(jing)SEM+EDX > 二(er)手(shou)sem掃(sao)描電(dian)鏡(jing) > 二(er)手(shou)sem掃(sao)描電(dian)鏡(jing)

          產品(pin)名稱(cheng):二手(shou)sem掃(sao)描電(dian)鏡(jing)

          產(chan)品型(xing)號(hao):

          更(geng)新(xin)時(shi)間(jian):2020-06-14

          產(chan)品特點:二(er)手(shou)sem掃(sao)描電(dian)鏡(jing):現(xian)貨(huo)供應二(er)手(shou)掃(sao)描電(dian)鏡(jing),二(er)手(shou)場發射電(dian)鏡(jing),二(er)手(shou)透射電(dian)鏡(jing),光(guang)譜(pu)色譜(pu),質譜(pu):
          S-9300,S-9380,S-806C,H-7100,S-4700,S-4200,S-4160,S-3000N,S-2700,S-2400,TM-1000

          產品詳細(xi)資料:

          二(er)手(shou)sem掃(sao)描電(dian)鏡(jing)
          日立(li)新(xin)推(tui)出的(de)高(gao)分(fen)辨(bian)場發射掃(sao)描電(dian)鏡(jing),1kv的(de)分辨率(lv)提(ti)升(sheng)到(dao)1.3nm,並(bing)在(zai)探(tan)測(ce)器(qi)設計上有新(xin)的(de)突破(po),配(pei)置(zhi)了Lower、Up-per和(he)Top三個(ge)Everhart-Thornley型(xing)探(tan)測(ce)器(qi),可以(yi)接(jie)受SE、LA-BSE和(he)HA-BSE多種(zhong)信(xin)號(hao),實(shi)現(xian)微(wei)區(qu)的形(xing)貌襯度(du)、原(yuan)子序數(shu)襯度(du)、結晶襯度(du)和(he)電(dian)位襯度(du)的(de)觀測;結合選(xuan)配(pei)的STEM探(tan)測器(qi),還可以(yi)實現(xian)明場像和(he)暗場像的觀測;此(ci)外(wai)在(zai)半(ban)導體(ti)應用中(zhong),還可以(yi)安(an)裝EBIC探(tan)測(ce)器,采(cai)集感(gan)生電(dian)流圖像,極(ji)大豐富了信(xin)號(hao)的采(cai)集,對樣(yang)品的信息的(de)收(shou)集達(da)到(dao)了新(xin)的(de)高(gao)度(du)。

          應用領域(yu):

          主(zhu)要用於(yu)生物(wu)體(ti)、高(gao)分(fen)子(zi)、無機非金(jin)屬(shu)、金(jin)屬(shu)材(cai)料等(deng)樣(yang)品的表(biao)面(mian)形(xing)貌(mao)觀察(cha)及(ji)元素(su)成(cheng)分分(fen)析。廣(guang)泛應用於(yu)生物(wu)、能源(yuan)、材(cai)料、化(hua)工(gong)、環(huan)境(jing)等(deng)研(yan)究領(ling)域(yu)。

          儀(yi)器主要(yao)配(pei)置(zhi):

          X射線(xian)能譜(pu)儀,離子濺(jian)射儀,真空(kong)蒸(zheng)鍍(du)儀,冷凍幹(gan)燥機。

          主要(yao)性(xing)能指標(biao):

          1. 二(er)次(ci)電(dian)子分(fen)辨率(lv):1.4nm(1kV,減(jian)速模式(shi));1nm(15kV)

          2. 電(dian)子槍:冷場發射電(dian)子源(yuan)

          3. 加(jia)速電(dian)壓(ya):0.5 ~ 30 kV

          4. 放(fang)大倍數(shu):×20 ~ ×800,000

          5. 探測器:低位(wei)/高(gao)位(wei)二(er)次電(dian)子探(tan)測器

          二手(shou)sem掃(sao)描電(dian)鏡(jing)

          描(miao)電(dian)子顯(xian)微(wei)鏡(jing)的(de)制(zhi)造是依(yi)據(ju)電(dian)子與(yu)物質的相(xiang)互作用。當壹(yi)束高(gao)能的入射電(dian)子轟(hong)擊(ji)物(wu)質(zhi)表(biao)面(mian)時(shi),被激(ji)發的(de)區(qu)域將(jiang)產生二(er)次電(dian)子、俄(e)歇電(dian)子、特(te)征x射線(xian)和(he)連續(xu)譜(pu)X射線(xian)、背散(san)射電(dian)子、透(tou)射電(dian)子,以(yi)及在(zai)可(ke)見(jian)、紫(zi)外(wai)、紅(hong)外(wai)光區(qu)域產(chan)生的(de)電(dian)磁輻射。同(tong)時(shi),也(ye)可產生電(dian)子-空(kong)穴對、晶(jing)格(ge)振動(dong) (聲子)、電(dian)子振蕩(dang) (等離(li)子(zi)體(ti))。原則上(shang)講(jiang),利用電(dian)子和(he)物質(zhi)的相(xiang)互作用,可以(yi)獲(huo)取(qu)被(bei)測樣(yang)品本身的(de)各種(zhong)物(wu)理、化學性(xing)質(zhi)的(de)信(xin)息,如形貌、組(zu)成(cheng)、晶體(ti)結構、電(dian)子結構和(he)內部電(dian)場或磁場等等。

          掃(sao)描電(dian)子顯(xian)微(wei)鏡(jing)正(zheng)是根(gen)據(ju)上述不(bu)同(tong)信(xin)息(xi)產生的(de)機理,采用不(bu)同(tong)的(de)信(xin)息檢(jian)測器(qi),使選(xuan)擇檢(jian)測得以(yi)實現(xian)。如(ru)對二(er)次電(dian)子、背散(san)射電(dian)子的(de)采集,可(ke)得到(dao)有關(guan)物(wu)質微(wei)觀形貌(mao)的(de)信息;對x射線(xian)的采集,可(ke)得到(dao)物(wu)質(zhi)化(hua)學成(cheng)分的(de)信息。正(zheng)因(yin)如此(ci),根(gen)據(ju)不(bu)同(tong)需求,可制(zhi)造出功(gong)能配(pei)置(zhi)不(bu)同(tong)的(de)掃(sao)描電(dian)子顯(xian)微(wei)鏡(jing)。

          掃(sao)描電(dian)子顯(xian)微(wei)鏡(jing)是(shi)1965年發明的較(jiao)現(xian)代(dai)的(de)細(xi)胞生物(wu)學研究工(gong)具,主(zhu)要是利用二次(ci)電(dian)子信(xin)號成(cheng)像來(lai)觀察(cha)樣(yang)品(pin)的(de)表(biao)面(mian)形(xing)態(tai),即用極(ji)狹窄的電(dian)子束(shu)去掃(sao)描樣品,通過電(dian)子束(shu)與樣品的相(xiang)互作用產生各種(zhong)效(xiao)應,其(qi)中(zhong)主(zhu)要是樣品(pin)的(de)二(er)次電(dian)子發(fa)射。二次(ci)電(dian)子能夠(gou)產生樣(yang)品表(biao)面(mian)放(fang)大的形(xing)貌像,這個(ge)像是(shi)在(zai)樣(yang)品(pin)被(bei)掃(sao)描時(shi)按時(shi)序建立(li)起(qi)來(lai)的,即(ji)使用逐(zhu)點成(cheng)像的(de)方法獲(huo)得放(fang)大像。

           如(ru)果妳(ni)對此(ci)產品(pin)感(gan)興趣,想(xiang)了解更(geng)詳(xiang)細(xi)的產(chan)品信息,填(tian)寫下表(biao)直接(jie)與(yu)廠家聯系:

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