二手(shou)SEN,二手(shou)TEM透射(she)電(dian)子(zi)顯微(wei)鏡的(de)成像原理(li)可分(fen)為(wei)三(san)種情況(kuang):

吸收(shou)像(xiang):當電(dian)子(zi)射(she)到(dao)質(zhi)量、密(mi)度大的(de)樣(yang)品時，主(zhu)要(yao)的(de)成相(xiang)作(zuo)用是(shi)散(san)射(she)作(zuo)用。樣(yang)品上質(zhi)量厚(hou)度大的(de)地(di)方對電(dian)子(zi)的(de)散(san)射(she)角大，通(tong)過的(de)電(dian)子(zi)較(jiao)少(shao)，像(xiang)的(de)亮度較暗(an)。早(zao)期的(de)透射(she)電(dian)子(zi)顯微(wei)鏡都(dou)是(shi)基(ji)於(yu)這種原(yuan)理(li)TEM透射(she)電(dian)鏡(jing)。 衍(yan)射(she)像:電(dian)子(zi)束被樣(yang)品衍(yan)射(she)後，樣(yang)品不同位(wei)置(zhi)的(de)衍(yan)射(she)波(bo)振(zhen)幅(fu)分(fen)布對(dui)應(ying)於(yu)樣(yang)品中(zhong)晶體(ti)各部分(fen)不同的(de)衍(yan)射(she)能力(li)，當(dang)出(chu)現(xian)晶體(ti)缺陷(xian)時，缺陷(xian)部分(fen)的(de)衍(yan)射(she)能力(li)與完(wan)整區域不同，從(cong)而使(shi)衍(yan)射(she)波(bo)的(de)振(zhen)幅(fu)分(fen)布不均勻(yun)，反映出晶體(ti)缺陷(xian)的(de)分(fen)布。 相(xiang)位(wei)像:當(dang)樣(yang)品薄至(zhi)100A以(yi)下(xia)時，電(dian)子(zi)可(ke)以(yi)穿(chuan)過樣(yang)品，波(bo)的(de)振(zhen)幅(fu)變化可以忽(hu)略(lve)，成像(xiang)來(lai)自於(yu)相(xiang)位(wei)的(de)變化。

 二手(shou)SEN,二手(shou)TEM組件(jian)介紹(shao)：

   電(dian)子(zi)槍(qiang):發(fa)射(she)電(dian)子(zi)，由陰極、柵(zha)極、陽(yang)極組成(cheng)。陰極管(guan)發(fa)射(she)的(de)電(dian)子(zi)通(tong)過柵(zha)極上(shang)的(de)小孔形成(cheng)射(she)線束，經陽(yang)極(ji)電(dian)壓(ya)加(jia)速(su)後(hou)射(she)向聚光(guang)鏡，起(qi)到(dao)對(dui)電(dian)子(zi)束加(jia)速(su)、加(jia)壓(ya)的(de)作(zuo)用。 聚光(guang)鏡:將(jiang)電(dian)子(zi)束聚集(ji)，可用於(yu)控制(zhi)照(zhao)明強度和孔(kong)徑(jing)角。 樣(yang)品室(shi):放(fang)置(zhi)待觀察(cha)的(de)樣(yang)品，並(bing)裝有傾轉臺(tai)，用以(yi)改(gai)變試(shi)樣(yang)的(de)角度，還有(you)裝配加(jia)熱(re)、冷卻等(deng)設備(bei)。 物(wu)鏡(jing):為(wei)放(fang)大率(lv)很(hen)高的(de)短距透鏡，作(zuo)用是(shi)放(fang)大電(dian)子(zi)像(xiang)。物(wu)鏡(jing)是(shi)決定(ding)透(tou)射(she)電(dian)子(zi)顯微(wei)鏡分(fen)辨(bian)能力(li)和(he)成(cheng)像(xiang)質(zhi)量的(de)關鍵。 中(zhong)間(jian)鏡:為(wei)可變(bian)倍的(de)弱透鏡，作(zuo)用是(shi)對(dui)電(dian)子(zi)像(xiang)進(jin)行(xing)二次(ci)放(fang)大。通(tong)過調(tiao)節中(zhong)間(jian)鏡的(de)電(dian)流(liu)，可選擇(ze)物(wu)體(ti)的(de)像或電(dian)子(zi)衍(yan)射(she)圖(tu)來(lai)進行(xing)放(fang)大。 透(tou)射(she)鏡:為(wei)高倍(bei)的(de)強透(tou)鏡，用來(lai)放(fang)大中(zhong)間(jian)像後(hou)在熒光(guang)屏上成(cheng)像。 此(ci)外(wai)還(hai)有(you)二級真(zhen)空(kong)泵來(lai)對樣(yang)品室(shi)抽(chou)真(zhen)空(kong)、照相(xiang)裝置(zhi)用以(yi)記錄影(ying)像。

應(ying)用

    透(tou)射(she)電(dian)子(zi)顯微(wei)鏡在材料(liao)科(ke)學、生(sheng)物(wu)學上(shang)應(ying)用較(jiao)多(duo)。由於(yu)電(dian)子(zi)易(yi)散(san)射(she)或被物(wu)體(ti)吸收(shou)，故(gu)穿透力(li)低(di)，樣(yang)品的(de)密(mi)度、厚度等(deng)都(dou)會影(ying)響(xiang)到(dao)後(hou)的(de)成像質量(liang)，必(bi)須制(zhi)備(bei)更薄的(de)超薄切片(pian)，通(tong)常(chang)為(wei)50~100nm。所(suo)以(yi)用透(tou)射(she)電(dian)子(zi)顯微(wei)鏡觀察(cha)時的(de)樣(yang)品需要(yao)處理(li)得(de)很(hen)薄。常(chang)用的(de)方法(fa)有:超(chao)薄(bo)切片(pian)法(fa)、冷凍(dong)超(chao)薄(bo)切(qie)片(pian)法(fa)、冷凍(dong)蝕(shi)刻(ke)法(fa)、冷凍(dong)斷(duan)裂法(fa)等(deng)。對於(yu)液(ye)體(ti)樣(yang)品，通常(chang)是(shi)掛(gua)預處理(li)過的(de)銅網(wang)上(shang)進行觀察(cha)。

特(te)點

   以(yi)電(dian)子(zi)束作(zuo)光(guang)源(yuan)，電(dian)磁(ci)場(chang)作(zuo)透(tou)鏡(jing)。電(dian)子(zi)束波(bo)長與加(jia)速(su)電(dian)壓(ya)(通常50~120KV)成反比。

由電(dian)子(zi)照(zhao)明系統、電(dian)磁(ci)透鏡成像(xiang)系(xi)統、真空系(xi)統、記錄系統、電(dian)源(yuan)系統等(deng)5部分(fen)構(gou)成。

分(fen)辨(bian)力(li)0.2nm，放(fang)大倍(bei)數(shu)可(ke)達(da)百(bai)萬倍。

TEM分(fen)析(xi)技(ji)術(shu)是(shi)以(yi)波(bo)長極(ji)短的(de)電(dian)子(zi)束作(zuo)照(zhao)明源，用電(dian)磁(ci)透鏡聚焦(jiao)成像的(de)壹種高(gao)分(fen)辨(bian)率(1nm)、高放(fang)大倍(bei)數(shu)的(de)電(dian)子(zi)光(guang)學分(fen)析(xi)技(ji)術(shu);

用電(dian)鏡(jing)(包(bao)括TEM)進行(xing)樣(yang)品分(fen)析(xi)時，通常(chang)有兩(liang)個(ge)目的(de):壹個是(shi)獲(huo)得(de)高(gao)倍(bei)放(fang)大倍(bei)數(shu)的(de)電(dian)子(zi)圖(tu)像，另壹個是(shi)得(de)到(dao)電(dian)子(zi)衍(yan)射(she)花(hua)樣(yang);

TEM常(chang)用於(yu)研(yan)究(jiu)納(na)米(mi)材料(liao)的(de)結晶情況(kuang)，觀察(cha)納米(mi)粒子(zi)的(de)形貌(mao)、分(fen)散(san)情況(kuang)及測(ce)量和評(ping)估(gu)納(na)米(mi)粒子(zi)的(de)粒徑。是(shi)常(chang)用的(de)納米(mi)復合材料微(wei)觀結構(gou)的(de)表征(zheng)技(ji)術(shu)之壹。