二(er)手SEM日(ri)立(li)TM3030plus-深圳(zhen)市心怡創科(ke)技有(you)限公(gong)司

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二(er)手電鏡(jing)SEM+EDX

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點(dian)擊放(fang)大

產(chan)品名稱(cheng)：二(er)手SEM日(ri)立(li)TM3030plus

產品(pin)型號(hao)：

更新時(shi)間：2021-01-15

產品(pin)特(te)點(dian)：二(er)手SEM日(ri)立(li)TM3030plus日(ri)立(li)臺式(shi)電鏡(jing)TM3030Plus，是(shi)日(ri)立(li)臺式(shi)電鏡(jing)TM系(xi)列(lie)的(de)成員(yuan)，它(ta)繼(ji)承(cheng)了日(ri)立(li)臺式(shi)電鏡(jing)的(de)品質(zhi)。TM3030Plus在(zai)TM3030基礎上(shang)增加(jia)高靈敏(min)度低真(zhen)空二(er)次電子(zi)探(tan)頭UVD，該(gai)探(tan)頭(tou)在(zai)低真(zhen)空環(huan)境下(xia)具(ju)有(you)很好的成像(xiang)質(zhi)量(liang)，而(er)且無需樣(yang)品(pin)前處(chu)理.

產(chan)品詳(xiang)細(xi)資料：

日(ri)立(li)臺式(shi)電鏡(jing)TM3030Plus

二(er)手SEM日(ri)立(li)TM3030plus產品(pin)介(jie)紹(shao)：

TM3030Plus是日(ri)立(li)臺式(shi)電鏡(jing)TM系(xi)列(lie)的(de)成員(yuan)，它(ta)繼(ji)承(cheng)了日(ri)立(li)臺式(shi)電鏡(jing)品(pin)質(zhi)。TM3030Plus在(zai)TM3030基礎上(shang)增加(jia)高靈敏(min)度低真(zhen)空二(er)次電子(zi)探(tan)頭UVD，該(gai)探(tan)頭(tou)在(zai)低真(zhen)空環(huan)境下(xia)具(ju)有(you)很好的成像(xiang)質(zhi)量(liang)，而(er)且無需樣(yang)品(pin)前處(chu)理，放(fang)大倍(bei)數可達(da)6萬(wan)倍，數(shu)字放(fang)大可(ke)達(da)24萬(wan)倍。

主(zhu)要參(can)數：

1.放(fang)大倍(bei)率：×15～60,000

2.設定(ding)觀(guan)察(cha)條(tiao)件：5KV/15KV/EDX

3.觀(guan)察(cha)模(mo)式(shi)：導(dao)體模(mo)式(shi)、標準(zhun)模(mo)式(shi)、減電荷模(mo)式(shi)

4.檢測(ce)器(qi)：高靈敏度半導(dao)體四分(fen)割(ge)BSE探測(ce)器(qi)、低真(zhen)空二(er)次電子(zi)探(tan)測(ce)器(qi)

5.電子(zi)槍(qiang)：預對(dui)中燈絲

二(er)手SEM日(ri)立(li)TM3030plus應用領域：

生(sheng)命科(ke)學

材料科(ke)學

化(hua)學

電子(zi)制造

食(shi)品(pin)工(gong)業(ye)

方(fang)案(an)優(you)勢

低加(jia)速(su)電壓(ya)成(cheng)像在(zai)掃(sao)描(miao)電鏡(jing)成(cheng)像中有(you)著(zhe)重(zhong)要(yao)的(de)作(zuo)用。采用低加(jia)速(su)電壓(ya)成(cheng)像，低能(neng)電子(zi)束(shu)受到散射的擴散區(qu)域小(xiao)，相互(hu)作(zuo)用區(qu)接近表面(mian)，有(you)利於(yu)表(biao)面精細(xi)形貌成像(xiang)。對(dui)於(yu)某(mou)些(xie)熱敏(min)或(huo)導(dao)電性(xing)能(neng)差(cha)的樣(yang)品，如(ru)半(ban)導(dao)體和(he)器(qi)件、合成纖(xian)維、濺射(she)或(huo)氧(yang)化(hua)薄(bo)膜(mo)、紙(zhi)張(zhang)、動(dong)植(zhi)物組織、高分(fen)子(zi)材料等，有(you)時不(bu)允許(xu)進行(xing)導(dao)電處(chu)理，而(er)要求(qiu)直(zhi)接觀(guan)察(cha)，采用低加(jia)速(su)電壓(ya)成(cheng)像可(ke)以(yi)減小或(huo)消(xiao)除此(ci)類(lei)樣(yang)品的(de)荷電效(xiao)應同(tong)時減小電子(zi)束(shu)輻照(zhao)損(sun)傷。下(xia)圖為(wei)氧(yang)化(hua)鋅(xin)樣(yang)品(pin)在(zai)5KV 和(he)15KV 下(xia)的(de)圖(tu)像(xiang)對(dui)比，由(you)圖(tu)像(xiang)可(ke)知(zhi)，在5KV 低加(jia)速(su)電壓(ya)下(xia)，樣品(pin)表(biao)面細(xi)節(jie)特(te)征清晰(xi)，有(you)利於(yu)表(biao)面精細(xi)形貌的觀(guan)察(cha)。

帶(dai)有(you)SwiftED3000的TM3000/TM3030的(de)典型配(pei)置(zhi)
*內置(zhi)EDX探測(ce)器(qi)

特(te)點(dian)

硼以(yi)上(shang)輕(qing)元素(su)檢測(ce)。
可(ke)進(jin)行(xing)線(xian)掃描(miao)，面(mian)分(fen)布(bu)圖以(yi)及(ji)多點(dian)分(fen)析(xi)。
無需液(ye)氮。可在幾分(fen)鐘(zhong)內(nei)快(kuai)速(su)，輕(qing)松(song)分(fen)析(xi)。
可在同(tong)壹顯(xian)示器(qi)上(shang)顯(xian)示圖像和(he)元(yuan)素(su)數(shu)據(ju)。

規(gui)格(ge)

項(xiang)目	說(shuo)明(ming)
探(tan)測(ce)器(qi)類(lei)型	矽(gui)飄(piao)移探測(ce)器(qi)（SDD）
能(neng)量分(fen)辨(bian)率	154電子(zi)伏(fu)特(te)（Cu-Kα）（相當(dang)於(yu)135電子(zi)伏(fu)特(te)的(de)Mn-Kα）
探測(ce)元(yuan)素(su)範(fan)圍(wei)	B5 - Am95
定(ding)性(xing)分(fen)析(xi)	自動識(shi)別和(he)手(shou)動(dong)峰值(zhi)識(shi)別
定(ding)量分(fen)析(xi)	無標樣定量(liang)分(fen)析(xi)