二(er)手(shou)日(ri)立(li)+日(ri)本電(dian)子(zi)掃描(miao)電鏡主(zhu)要特(te)長

優秀(xiu)電(dian)子(zi)光學系統(tong)                                                           

JSM-IT200A是(shi)株(zhu)式會(hui)社(she)最新(xin)升級(ji)版(ban)機型，集(ji)合了(le)分析(xi)掃(sao)描(miao)電鏡精髓(sui)功能，結構緊(jin)湊(cou)、節省空(kong)間，分辨率高(gao)。

操作舒適快捷                                                                  

JSM-IT200A擁(yong)有非常(chang)直(zhi)觀(guan)的(de)操作系統(tong)，即(ji)使(shi)沒有經(jing)驗(yan)的(de)用(yong)戶(hu)也(ye)可(ke)進行操作高(gao)品(pin)質的(de)SEM圖(tu)像，以(yi)及高(gao)效率元(yuan)素(su)分析(xi)。可(ke)支(zhi)持(chi)操作觸摸(mo)屏。

安(an)裝(zhuang)的(de)靈(ling)活(huo)性                                                                           

節(jie)省空(kong)間，安裝(zhuang)方便。壹(yi)個電(dian)源(yuan)插(cha)座就(jiu)足(zu)以(yi)安裝(zhuang)。不需(xu)要任(ren)何(he)冷(leng)卻水。

二(er)手(shou)日(ri)立(li)+日(ri)本電(dian)子(zi)掃描(miao)電鏡中用來(lai)產生(sheng)圖(tu)像的(de)信(xin)號(hao)源(yuan)於(yu)電子(zi)束與樣品中(zhong)不(bu)同(tong)深度的(de)原(yuan)子(zi)相互(hu)作用。因(yin)此(ci)而(er)產(chan)生(sheng)各種類型(xing)的(de)信(xin)號(hao)包(bao)括(kuo)二(er)次(ci)電(dian)子(zi)(Secondary electron, SE)、反(fan)射(she)或背散射(she)電子(Back-scattered electron, BSE)、特征X射線和(he)光線(陰極射(she)線發(fa)光)(CL)、吸收電(dian)流(liu)(樣品電(dian)流(liu))和(he)透(tou)射電(dian)子。 二(er)次(ci)電(dian)子(zi)探(tan)測器是所有掃描(miao)電(dian)鏡的(de)標(biao)配(pei)。

在二(er)次(ci)電(dian)子(zi)成像(Secondary electron imaging, SEI)中(zhong)，二(er)次(ci)電(dian)子(zi)是(shi)從樣品表層(ceng)發(fa)射的(de)。因(yin)此(ci)，SEI可(ke)以(yi)產生(sheng)超高(gao)分辨率的(de)樣品表面圖(tu)像並(bing)顯(xian)示(shi)尺(chi)寸(cun)小(xiao)於(yu)1納米的(de)細(xi)節(jie)。背散射(she)電(dian)子(BSE)是(shi)通(tong)過彈性散(san)射從樣品反(fan)射(she)的(de)成束電子。它們(men)的(de)發(fa)射位(wei)置(zhi)在樣品更深處，因(yin)此(ci)BSE圖(tu)像的(de)分辨率低於(yu)SE。然而(er)，BSE與從特(te)征(zheng)性X射(she)線獲(huo)得的(de)光譜通(tong)常(chang)用(yong)於(yu)分析(xi)型(xing)SEM，因(yin)為(wei)BSE信(xin)號(hao)的(de)強(qiang)度與樣品的(de)原(yuan)子(zi)序(xu)數(shu)(Z)密切相關(guan)。BSE圖(tu)像可(ke)以(yi)提(ti)供(gong)樣本中(zhong)不(bu)同元(yuan)素的(de)分布信(xin)息(xi)，但(dan)不能(neng)提(ti)供(gong)結構信(xin)息(xi)。 在主(zhu)要由(you)輕元素(su)組(zu)成的(de)樣本中(zhong)，例(li)如(ru)生(sheng)物樣本，BSE成像可(ke)以(yi)對(dui)直(zhi)徑為(wei)5-10 nm的(de)膠(jiao)態金免疫標(biao)記成像，而(er)這(zhe)很難(nan)或不(bu)可(ke)能(neng)利用二(er)次(ci)電(dian)子(zi)成像檢(jian)測(ce)到(dao)。 當(dang)電子(zi)束從樣品中(zhong)激(ji)發(fa)出(chu)內(nei)殼(ke)層(ceng)電子(zi)時(shi)，樣品會(hui)發(fa)射出(chu)特(te)征X射線，這(zhe)是因(yin)為(wei)高(gao)能(neng)電(dian)子充滿(man)殼(ke)層(ceng)並(bing)釋(shi)放(fang)能量(liang)。這(zhe)些特(te)征(zheng)X射(she)線的(de)能(neng)量(liang)或(huo)波(bo)長可(ke)以(yi)通過能(neng)譜儀(yi)Energy-dispersive X-ray spectroscopy, EDX）或(huo)波譜儀(yi)（Wavelength-dispersive X-ray spectroscopy）測(ce)量，並(bing)可(ke)用(yong)於(yu)識別(bie)和(he)測(ce)量樣品中(zhong)的(de)元(yuan)素(su)豐(feng)度進而(er)繪(hui)制元素分布圖(tu)。

由(you)於(yu)樣品臺(tai)的(de)限(xian)制，SEM樣品必(bi)須(xu)足(zu)夠(gou)小(xiao)，同(tong)時(shi)可(ke)能(neng)需(xu)要特(te)殊(shu)的(de)預(yu)處理(li)來(lai)增加樣品的(de)電(dian)導(dao)率(lv)和(he)穩(wen)定性，以(yi)便樣品能(neng)夠(gou)承(cheng)受(shou)高(gao)真空條件(jian)和(he)高(gao)能(neng)電(dian)子束的(de)轟(hong)擊(ji)。通(tong)常(chang)使(shi)用導(dao)電(dian)膠(jiao)將(jiang)樣品牢(lao)固地安(an)裝(zhuang)在樣品臺(tai)或(huo)短(duan)柱上。SEM被(bei)廣泛用於(yu)半(ban)導(dao)體晶片的(de)缺(que)陷(xian)分析(xi)，制造(zao)商(shang)制造(zao)出(chu)可(ke)以(yi)檢查(zha)尺(chi)寸(cun)為(wei)300 mm的(de)半(ban)導(dao)體晶片的(de)任(ren)何(he)部(bu)位(wei)的(de)儀(yi)器。許多儀(yi)器都有著可(ke)以(yi)將該(gai)尺寸(cun)的(de)物(wu)體傾斜45°並(bing)提(ti)供(gong)連續(xu)360°旋(xuan)轉(zhuan)的(de)腔(qiang)室(shi)。