產(chan)品(pin)名稱(cheng)：二(er)手日(ri)立(li) SU-8230 冷場(chang)超高分辨(bian)掃(sao)描電(dian)鏡
產(chan)品(pin)型(xing)號：
更(geng)新(xin)時(shi)間：2025-09-25
產(chan)品(pin)特點：二手(shou)日(ri)立(li) SU-8230 冷場(chang)超高分辨(bian)掃(sao)描電(dian)鏡主要功(gong)能(neng)及應用範(fan)圍(wei)：微區形(xing)貌(mao)、微區成(cheng)分分析(xi)。可(ke)以(yi)觀(guan)察(cha)和(he)檢(jian)測(ce)非均相(xiang)有(you)機(ji)、無(wu)機(ji)材(cai)料(liao)，及這(zhe)些材料(liao)在納米、微米級樣品(pin)的(de)表面(mian)特(te)征(zheng)。該(gai)儀器(qi)廣泛(fan)應用於(yu)金屬材(cai)料(liao)、高分子(zi)材(cai)料(liao)、半(ban)導(dao)體(ti)材料(liao)、化(hua)工原(yuan)料(liao)、地礦物品(pin)、寶(bao)石(shi)文(wen)物等(deng)微觀形(xing)貌(mao)的(de)研(yan)究及公安(an)刑(xing)偵(zhen)的(de)物證(zheng)分析(xi)。
產(chan)品(pin)詳細(xi)資料(liao)：
二手日(ri)立(li) SU-8230 冷場(chang)超高分辨(bian)掃(sao)描電(dian)鏡儀器(qi)簡(jian)介：
SU8200 系(xi)列冷場(chang)掃(sao)描是(shi)日(ri)立(li)高新(xin)經過(guo)多(duo)年潛(qian)心(xin)鉆(zuan)研(yan)，巨(ju)額(e)投入(ru)而研(yan)發(fa)出(chu)來的(de)新(xin)壹(yi)代革(ge)新(xin)性(xing)冷場(chang)電鏡，其不(bu)僅(jin)*秉承(cheng)以(yi)往冷場(chang)發射(she)掃(sao)描電(dian)鏡全部優(you)點，還大(da)幅提高了(le)探針電(dian)流，並(bing)極大(da)增強(qiang)了(le)電流的(de)穩(wen)定性(xing)。這(zhe)些優(you)點使(shi)得(de)在低加速(su)電(dian)壓(ya)下，可(ke)長(chang)時(shi)間(jian)連(lian)續(xu)實(shi)現(xian)高分辨(bian)觀察(cha)和(he)分析(xi)功(gong)能(neng)。此系(xi)列掃(sao)描電(dian)鏡在*秉承(cheng)以(yi)往冷場(chang)發射(she)掃(sao)描電(dian)鏡全部優(you)點的(de)同時(shi)，將(jiang)探針電(dian)流進行(xing)了(le)大(da)幅提高，電流穩(wen)定性(xing)得(de)到了(le)極大(da)增強(qiang)，同時(shi)避免(mian)了(le)燈(deng)絲(si)Flash 後(hou)的(de)采(cai)圖(tu)等(deng)待時(shi)間(jian)，可(ke)以(yi)說其彌補了(le)以(yi)往冷場(chang)電鏡的(de)所有弱(ruo)勢(shi)，成(cheng)為壹(yi)款(kuan)真(zhen)正(zheng)的(de)超高分辨(bian)分析(xi)型(xing)冷場(chang)掃(sao)描電(dian)鏡，上(shang)演了(le)壹(yi)部現(xian)實(shi)版的(de)*歸來!
日(ri)立(li)高新(xin)場(chang)發射(she)掃(sao)描電(dian)子顯(xian)微鏡SU8200系(xi)列主(zhu)要特(te)點：
日(ri)立(li)高新(xin)新(xin)研(yan)發(fa)的(de)冷場(chang)電子(zi)槍
1.利(li)用電子槍轟(hong)擊後(hou)的(de)高亮度穩(wen)定期，束流更(geng)大(da)更(geng)穩(wen)定，高分辨(bian)觀察(cha)和(he)分析(xi)兼顧
2.大(da)幅提高分辨(bian)率(1.1nm/1kV、0.8nm/15kV)
3.減輕(qing)汙染的(de)高真(zhen)空(kong)樣品(pin)倉(cang)
4.通過(guo)頂部過(guo)濾(lv)器(qi)(選(xuan)配項(xiang))實(shi)現(xian)多種(zhong)材料(liao)對(dui)比(bi)度可(ke)視化(hua)
二(er)手日(ri)立(li) SU-8230 冷場(chang)超高分辨(bian)掃(sao)描電(dian)鏡系(xi)列技(ji)術(shu)參數(shu)：
分辨(bian)率
二(er)次電(dian)子(zi)像(xiang)（SEI）：
15kV 時達到0.6nm（工作距離(li) 4mm），低電壓(ya)（1kV）下仍(reng)保(bao)持0.7nm分辨(bian)率（工作距離(li) 1.5mm，減速(su)模式(shi)）。
得益(yi)於(yu)冷場(chang)發射(she)電子(zi)槍（CFEG）的(de)低色(se)差設(she)計(ji)（色(se)差系(xi)數(shu)約 0.2eV），在(zai)低電壓(ya)條(tiao)件下可實(shi)現(xian)高分辨(bian)率觀(guan)察，避免(mian)樣品(pin)熱損傷(shang)。
背(bei)散(san)射電子(zi)像（BSEI）：15kV 時(shi)分辨(bian)率為(wei)3nm。
透射(she)掃(sao)描模(mo)式(shi)（STEM）：30kV 時分辨(bian)率達0.8nm，支持(chi) BF/DF/HAADF 成(cheng)像。
放(fang)大(da)倍數(shu)
覆蓋(gai)20 倍至(zhi) 200 萬倍(bei)，可滿(man)足從宏觀到原(yuan)子(zi)級結構(gou)的(de)觀察(cha)需求。
加速電壓(ya)
常規(gui)模式(shi)：0.5~30kV 連(lian)續(xu)可(ke)調，支持(chi)高電壓(ya)下的(de)高穿透(tou)性(xing)觀(guan)察。
減速(su)模式(shi)：著(zhe)陸(lu)電壓(ya)可達0.01kV（10V），適(shi)用於(yu)非導電(dian)樣品(pin)（如高分子(zi)、生物材(cai)料(liao)）的(de)低損傷(shang)成(cheng)像。
二(er)、探測(ce)器(qi)與(yu)分析(xi)功(gong)能(neng)
多探頭檢(jian)測(ce)系(xi)統(tong)
標(biao)配Top/Upper/Lower 二(er)次電(dian)子(zi)探頭及YAG 背(bei)散(san)射電子(zi)探頭，可(ke)靈活(huo)組(zu)合獲(huo)取表面(mian)形(xing)貌(mao)、成(cheng)分襯(chen)度等(deng)信息(xi)。
支持(chi)能(neng)量過(guo)濾(lv)功能(neng)（選(xuan)配），可(ke)分離(li)特征(zheng)能(neng)量電(dian)子，提升成(cheng)分分析(xi)對(dui)比(bi)度。
能(neng)譜分析(xi)（EDS）
配(pei)備(bei)牛津無(wu)窗(chuang)型(xing)斜(xie)插(cha)電制(zhi)冷探測(ce)器(qi)，能(neng)量分辨(bian)率≤127eV（Mn Kα），可(ke)檢(jian)測(ce)元(yuan)素範(fan)圍(wei)從 Be₄到 Cf₉₈，檢(jian)測(ce)下限(xian)低至 Li₃。
支持(chi)線(xian)掃(sao)、面掃(sao)及點分析(xi)，在(zai)低電壓(ya)（1.5kV）下仍(reng)能(neng)實(shi)現(xian)高空間分辨(bian)率元(yuan)素分布 Mapping。
電子(zi)背(bei)散(san)射衍射(she)（EBSD）
集(ji)成(cheng)高速 EBSD 探測(ce)器(qi)，幀(zhen)率可達3000 幀 / 秒，適(shi)用於(yu)晶(jing)體(ti)取向(xiang)、織構(gou)分析(xi)及動態(tai)過(guo)程(cheng)研(yan)究。
| 如(ru)果妳(ni)對(dui)此產(chan)品(pin)感興趣，想(xiang)了(le)解(jie)更(geng)詳(xiang)細(xi)的(de)產(chan)品(pin)信息(xi)，填(tian)寫(xie)下表直接(jie)與(yu)廠家(jia)聯系(xi)： |
