（2）手日本電子JSM-7610Fplus產(chan)品(pin)特點(dian)：

JSM-7610F的光學(xue)系統經過(guo)改(gai)進(jin)，實(shi)現了(le)分(fen)辨率（15kV 0.8nm、1kV 1.0nm）的進(jin)壹步提(ti)升(sheng)，以嶄(zhan)新(xin)的JSM-7610FPlus形象亮相(xiang)。采(cai)用半(ban)浸沒式(shi)物鏡(jing)和High Power Optics照(zhao)明系統，能提(ti)供(gong)穩(wen)定的高空(kong)間(jian)分(fen)辨率觀察和(he)分(fen)析。

此(ci)外(wai)還(hai)具備(bei)利(li)用GENTLEBEAMTM模(mo)式(shi)進(jin)行(xing)低加(jia)速(su)電壓觀察(cha)、通過(guo)r-filter分(fen)選(xuan)信(xin)號等滿(man)足各種(zhong)需求的高擴展(zhan)性。主(zhu)要(yao)特點(dian)如(ru)下(xia)：

◇ 半(ban)浸沒式(shi)物鏡(jing)

半(ban)浸沒式(shi)物鏡(jing)在樣(yang)品(pin)周(zhou)圍(wei)形成(cheng)強磁(ci)場(chang)，因而可(ke)以獲(huo)得超高(gao)分(fen)辨率。

◇ High Power Optics

High Power Optics 是電子光(guang)學(xue)系統，既實(shi)現了(le)高倍率觀察又(you)能進(jin)行(xing)多種(zhong)分(fen)析。

浸沒式(shi)肖特(te)基(ji)場(chang)發射(she)電子槍，可(ke)以獲(huo)得10 倍於(yu)傳(chuan)統肖特(te)基(ji)場(chang)發射(she)電子槍（FEG）的探針(zhen)電流(liu)，最(zui)佳(jia)光闌(lan)角(jiao)控(kong)制鏡(jing)（ALC）在探(tan)針(zhen)電流(liu)增大(da)時(shi)也能保(bao)持(chi)小束(shu)斑，兩者(zhe)組(zu)合(he)起(qi)來能提(ti)供(gong)200 nA 以上的探針(zhen)電流(liu)。強大(da)的High Power Optics 系統，從高(gao)倍率圖像觀(guan)察(cha)到(dao)EDS分(fen)析和(he)EBSD 解(jie)析可(ke)以壹(yi)直使用高(gao)分(fen)辨率的最(zui)小(xiao)物鏡(jing)光闌(lan)而(er)不需要(yao)改(gai)換(huan)。

浸沒式(shi)肖特(te)基(ji)場(chang)發射(she)電子槍銃(銃)   

浸沒式(shi)肖特(te)基(ji)場(chang)發射(she)電子槍通過(guo)和(he)低像差聚光(guang)鏡(jing)組(zu)合(he)，可(ke)以有(you)效地收(shou)集(ji)從(cong)電子槍內發射(she)的電子。

最(zui)佳(jia)光闌(lan)角(jiao)控(kong)制鏡(jing)（ACL）

最(zui)佳(jia)光闌(lan)角(jiao)控(kong)制鏡(jing)（ACL）配置(zhi)在物鏡(jing)的上方，在整(zheng)個(ge)探(tan)針(zhen)電流(liu)範(fan)圍(wei)內自動(dong)優化物鏡(jing)光闌(lan)的角(jiao)度(du)。因此，即使照(zhao)射(she)樣(yang)品的探針(zhen)電流(liu)很大(da)，與傳(chuan)統方式(shi)相(xiang)比，也能獲(huo)得(de)很小(xiao)的電子束(shu)斑。

即使探(tan)針(zhen)電流(liu)很大(da)，束(shu)斑直徑也很小

長時(shi)間(jian)分(fen)析時(shi)穩(wen)定(ding)度也很高

浸沒式(shi)消特(te)基場發射(she)電子槍能獲(huo)得(de)穩定(ding)的電子探(tan)針(zhen)

◇ 柔(rou)和電子束(shu)（GB:GENTLEBEAMTM）模(mo)式(shi)

 柔(rou)和的電子束(shu)模(mo)式(shi)（GB模(mo)式(shi)）通過(guo)給(gei)樣(yang)品(pin)添加(jia)負(fu)電壓，從而(er)使電子束(shu)在即將撞擊(ji)樣(yang)品之(zhi)前降(jiang)低著(zhe)陸電壓，因此可(ke)以在低(di)加(jia)速(su)電壓下（100V）進(jin)行(xing)高分(fen)辨觀察。

由於電子束(shu)在樣(yang)品(pin)中(zhong)散射(she)區(qu)域(yu)減小，就會容易(yi)地觀察(cha)樣品(pin)淺(qian)表面(mian)的精(jing)細(xi)結構(gou)，能減少對(dui)熱敏樣(yang)品的的損(sun)傷(shang)，可(ke)以直接觀察(cha)非導(dao)電性樣(yang)品(pin)。

JSM-7610Plus 在GB模(mo)式(shi)下（1KV）的分(fen)辨率為1.0nm

GB 模(mo)式(shi)的效果(guo)

GB 模(mo)式(shi)在低(di)電壓下提(ti)高分(fen)辨率

增強了(le)的低加(jia)速(su)電壓下的分(fen)辨率

◇ r-過濾器(qi)

新(xin)壹代(dai) r-過濾(lv)器(qi) 是由二次電子控(kong)制(zhi)電極(ji)，背(bei)散(san)射(she)電子控(kong)制(zhi)電極(ji)，過(guo)濾(lv)器(qi)電極(ji)組(zu)合(he)而(er)成的能量(liang)過(guo)濾器(qi)。當(dang)電子束(shu)照射(she)樣(yang)品時，從樣(yang)品(pin)表面(mian)會釋(shi)放(fang)出(chu)各(ge)種(zhong)能量(liang)的電子，新(xin)壹代(dai)r-過濾(lv)器(qi) 通過(guo)組(zu)合(he)多(duo)個(ge)靜(jing)電場使(shi)電子束(shu)保持(chi)在透(tou)射(she)系統的中(zhong)央，同時還(hai)對(dui)樣品中(zhong)產生的二次樣(yang)品(pin)和背(bei)散射(she)電子進(jin)行(xing)選(xuan)樣(yang)和(he)檢(jian)測(ce)。

新(xin)新(xin)壹代(dai) r-過濾(lv)器(qi)最(zui)多(duo)能獲(huo)得(de)3倍於(yu)舊機型(xing)的信號量。

新(xin)壹代(dai) r-過濾(lv)器(qi) 檢測(ce)信號的方法(fa)

◇ LABE檢(jian)測器(qi)（選(xuan)配(pei)件(jian)）

     LABE（Low Angle BE）檢(jian)測(ce)器(qi)能檢(jian)測(ce)低角(jiao)度(du)背散(san)射(she)電子。在低(di)加(jia)速(su)電壓下對(dui)樣品表面(mian)精(jing)細(xi)的形貌(mao)信(xin)息，在高(gao)加(jia)速(su)電壓下對(dui)樣品的組(zu)分(fen)信息都能進(jin)行(xing)高分(fen)辨觀察。     

利(li)用LABE 檢(jian)測(ce)器(qi)獲取低角(jiao)度(du)背散(san)射(she)電子像

◇ 擴展(zhan)性

能譜(pu)儀（EDS）

High Power Optics 能充(chong)分(fen)發揮EDS（SDD）檢測(ce)器(qi)的特長(chang)，即使探(tan)針(zhen)電流(liu)很大(da)，也不容易(yi)飽和(he)。使用低(di)加(jia)速(su)電壓，大(da)探(tan)針(zhen)電液(ye)能在短(duan)時(shi)間(jian)內獲取清(qing)晰(xi)的面(mian)分(fen)布(bu)圖(tu)。下面(mian)的圖像顯(xian)示了(le)在2分(fen)針(zhen)內可以對(dui)鎳(nie)基板(ban)表面(mian)上極(ji)薄(bo)的石墨(mo)烯薄(bo)膜(mo)進(jin)行(xing)分(fen)析。

使(shi)用基(ji)本(ben)型(xing)SDD nm2 檢(jian)測(ce)器(qi)也能在短(duan)短(duan)的30秒(miao)鐘(zhong)內測試(shi)100nm厚的多層(ceng)膜(mo)截(jie)面(mian)。

波譜(pu)儀（WDS）

由於High Power Optics 在大(da)探(tan)針(zhen)電流(liu)時也能提(ti)供(gong)很(hen)小的電子束(shu)斑，因此能充(chong)分(fen)發揮WDS的特長(chang)，使(shi)用WDS可(ke)以確(que)認用EDS判(pan)斷(duan)的樣品(pin)的濃度(du)差等。

（2）手(shou)日本(ben)電子JSM-7610Fplus陰(yin)極(ji)熒光系統（CL）

陰(yin)極(ji)熒光是電子束(shu)照射(she)樣(yang)品時產生的發光現象，從樣品中(zhong)發出(chu)的光經(jing)拋物面(mian)反射(she)鏡(jing)（聚光(guang)鏡(jing)）聚焦後(hou)被檢測出(chu)來。

下(xia)面(mian)的數據是金(jin)剛(gang)石（1KW）的二次電子圖(tu)像和(he)用衍射(she)光(guang)柵獲得(de)的CL像。用低(di)加(jia)速(su)電壓觀察(cha)CL像，可(ke)以在高(gao)分(fen)辨率下觀測(ce)到(dao)金(jin)剛石的表面(mian)缺陷。