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電感耦合等(deng)離(li)子(zi)體(ti)質譜儀ICP-MS7700分(fen)析(xi)原(yuan)理(li)
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電感耦合等(deng)離(li)子(zi)體(ti)質譜儀ICP-MS7700分(fen)析(xi)原(yuan)理(li)
電感耦合等(deng)離(li)子(zi)體(ti)質譜儀ICP-MS 7700通(tong)過電感耦合等(deng)離(li)子(zi)體(ti)(ICP)將(jiang)樣(yang)品電離，再(zai)利用(yong)質譜(MS)分(fen)離(li)並(bing)檢(jian)測(ce)離(li)子(zi)，實(shi)現(xian)元(yuan)素(su)種(zhong)類與(yu)含量的(de)精(jing)準測(ce)定(ding)。
電感耦合等(deng)離(li)子(zi)體(ti)質譜儀ICP-MS 7700的(de)工作(zuo)流程(cheng)可拆解(jie)為(wei)樣(yang)品引入(ru)→等(deng)離(li)子(zi)體(ti)離(li)子化(hua)→離子傳(chuan)輸→質量分(fen)析(xi)→檢(jian)測(ce)計(ji)數五(wu)個(ge)關鍵步驟(zhou)，核心(xin)是(shi)通(tong)過 “等(deng)離(li)子(zi)體(ti)產生(sheng)離子(zi) + 質譜篩選(xuan)檢(jian)測(ce)" 實(shi)現(xian)元(yuan)素(su)分(fen)析(xi)：
1.樣(yang)品引入(ru)：液(ye)體(ti)樣(yang)品(如消(xiao)解(jie)後的(de)水樣(yang)、食品浸出液(ye))通(tong)過霧(wu)化(hua)器轉化(hua)為(wei)氣(qi)溶(rong)膠，由(you)載氣(通(tong)常為(wei)氬(ya)氣)帶(dai)入(ru)等(deng)離(li)子(zi)體(ti)炬(ju)；固體樣(yang)品需先(xian)通(tong)過微(wei)波消(xiao)解(jie)、酸溶(rong)等(deng)前(qian)處(chu)理(li)轉化(hua)為(wei)液(ye)體(ti)。
2.等(deng)離(li)子(zi)體(ti)離(li)子化(hua)：樣(yang)品氣溶膠進(jin)入(ru)電感耦合等(deng)離(li)子(zi)體(ti)(ICP)——這(zhe)是(shi)壹(yi)個由(you)高頻電流激發(fa)氬(ya)氣形成的(de)高溫(wen)等(deng)離(li)子(zi)體(ti)炬(ju)，在(zai)此過(guo)程(cheng)中(zhong)，樣(yang)品分(fen)子(zi)被(bei)徹*解(jie)離，元(yuan)素(su)原(yuan)子(zi)被(bei)電離為(wei)帶(dai)正(zheng)電的(de)離(li)子。
3.離(li)子(zi)傳(chuan)輸：等(deng)離(li)子(zi)體(ti)中(zhong)的(de)離(li)子通(tong)過采(cai)樣(yang)錐(zhui)進(jin)入(ru)真空(kong)系統(tong)，再(zai)經截取(qu)錐篩(shai)選(xuan)後，由(you)離子(zi)透(tou)鏡(jing)聚(ju)焦成離子束(shu)，去(qu)除中(zhong)性粒(li)子和(he)光(guang)子(zi)幹(gan)擾(rao)，然後進入(ru)質量分(fen)析(xi)器(qi)。
4.質量分(fen)析(xi)：核(he)心(xin)部(bu)件(jian)為(wei)四極(ji)桿(gan)質量分(fen)析(xi)器(qi)，部(bu)分(fen)機(ji)型采(cai)用飛行時間(jian)(TOF)或(huo)扇(shan)形(xing)磁(ci)場(chang)分(fen)析(xi)器(qi)。四極(ji)桿(gan)通(tong)過調(tiao)節射頻(pin)電壓，僅允許(xu)特定(ding)質荷比(bi)的(de)離(li)子通(tong)過，實(shi)現(xian)對不(bu)同(tong)元(yuan)素(su)的(de)篩(shai)選(xuan)。
5.檢(jian)測(ce)計(ji)數：通(tong)過的(de)離(li)子到達檢測(ce)器(qi)(如(ru)電子倍增(zeng)器(qi))，離子信號(hao)被轉化(hua)為(wei)電信號(hao)，經放大和(he)數據(ju)處(chu)理後，以 “計(ji)數率(lv)" 反(fan)映(ying)離子(zi)濃(nong)度，最(zui)終(zhong)通(tong)過標(biao)準曲(qu)線(xian)換算為(wei)樣(yang)品中(zhong)元(yuan)素(su)的(de)實(shi)際含量(liang)。
技術參(can)數：
1.靈敏(min)度：低(di)質量數 Li(7): 50 Mcps/ppm；中(zhong)質量數 Y(89): 60 Mcps/ppm（7700x)； 240 Mcps/ppm(7700s) ；(高質量數 Tl(205): 80 Mcps/ppm(7700x)； 120 Mcps/ppm(7700s)；根(gen)據(ju)用戶(hu)特殊(shu)需求(qiu)，如激光、核工業(ye)、半導體(ti)材料(liao)等(deng)應用(yong)，可提(ti)供(gong)高靈敏(min)度功能(neng)
2.檢(jian)測(ce)限：低(di)質量數 Be(9): 0.5 ppt；中(zhong)質量數 In(115): 0.1 ppt高質量數 Bi(209): 0.1 ppt
3.氧化(hua)物幹擾(rao): CeO+/Ce+:1.5 %(7700x)； 3.0 %(7700s)；
4.雙電荷幹(gan)擾(rao): Ce2+/Ce+:3.0 %
5.同(tong)位素(su)比(bi)精(jing)度: RSD(107Ag/109Ag) 0.1%
6.質譜範圍：2 – 260 amu；
7.豐(feng)度靈敏(min)度低(di)質量端(duan): 5 x 10-7高質量端(duan): 1 x 10-7
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