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          技(ji)術文(wen)章首頁(ye) > 技(ji)術文(wen)章 >ICP-MS 點火(huo)不(bu)成(cheng)功(gong)處理(li)方(fang)式(shi)
          ICP-MS 點火(huo)不(bu)成(cheng)功(gong)處理(li)方(fang)式(shi)
          點擊次數:537 更(geng)新時間:2025-11-25
          ICP-MS(電(dian)感耦合等離子(zi)體(ti)質譜(pu)儀)點火(huo)失敗(bai)是常見故障,需按 “安(an)全(quan)排(pai)查→基(ji)礎條(tiao)件(jian)驗(yan)證→逐步定位(wei)核心問(wen)題" 的邏輯處理(li),避(bi)免(mian)盲目(mu)操(cao)作(zuo)損壞(huai)儀器(qi)。以下(xia)是(shi)系(xi)統的排(pai)查與(yu)解決步驟,覆(fu)蓋主(zhu)流(liu)品(pin)牌(安(an)捷(jie)倫、賽默(mo)飛(fei)、珀(po)金埃(ai)爾(er)默(mo)等)的(de)共(gong)性問(wen)題(ti):

          壹、點火(huo)前(qian)必(bi)做:安(an)全(quan)與基礎條件(jian)檢(jian)查(優(you)先(xian)排(pai)除致(zhi)命問(wen)題(ti))

          點火(huo)失敗(bai)首先(xian)需確(que)認(ren)儀器(qi)滿(man)足(zu) “點火(huo)前(qian)提(ti)",避免(mian)因基(ji)礎條件(jian)缺(que)失導(dao)致(zhi)無效(xiao)排(pai)查:

          1. 氣(qi)體(ti)供(gong)應(ying):核心中(zhong)的核心(90% 點火(huo)失敗(bai)與氣(qi)體(ti)相關)

          ICP-MS 點火(huo)依(yi)賴等離子(zi)氣(qi)(Ar)、輔助氣(qi)(Ar)、載(zai)氣(qi)(Ar) ,需滿足(zu):
          • 氣(qi)體(ti)純度:必(bi)須使用 ≥99.999%(5N)的(de)高(gao)純氬氣(qi),雜質(O₂、H₂O、N₂)會(hui)導(dao)致(zhi)點火(huo)困(kun)難或(huo)等離子(zi)體(ti)熄(xi)滅(mie);若(ruo)近(jin)期更(geng)換(huan)氣(qi)瓶,需確(que)認(ren)氣(qi)瓶標(biao)簽(qian)正(zheng)確(que)(避(bi)免(mian)誤換(huan)氮氣(qi) / 空氣(qi)),且(qie)新氣(qi)瓶需先(xian)排(pai)空閥口(kou)雜質(開閥(fa) 3~5 秒後(hou)關閉(bi)再連接)。

          • 壓(ya)力與(yu)流(liu)量(liang):

          • 1:等離子(zi)氣(qi)(Plasma Gas):常(chang)規流(liu)量(liang) 15~18 L/min(不同儀器(qi)略(lve)有(you)差(cha)異(yi)),氣(qi)瓶出(chu)口(kou)壓(ya)力需穩定(ding)在(zai) 0.5~0.8 MPa(減(jian)壓(ya)閥壓(ya)力),若(ruo)壓(ya)力低(di)於(yu) 0.3 MPa 或(huo)流(liu)量(liang)波動(dong)>0.5 L/min,需更(geng)換(huan)氣(qi)瓶或(huo)檢(jian)查減(jian)壓(ya)閥是(shi)否故(gu)障。

          • 2:輔助氣(qi)(Auxiliary Gas):流(liu)量(liang) 0.8~1.2 L/min,流(liu)量(liang)為 0 或(huo)過低(di)會(hui)導(dao)致(zhi)等離子(zi)體(ti)無法維持,過高(gao)則會(hui)吹(chui)散電(dian)弧。

          • 3:載(zai)氣(qi)(Carrier Gas):流(liu)量(liang) 0.8~1.2 L/min(點火(huo)時(shi)可(ke)適(shi)當(dang)調高(gao)至 1.0~1.5 L/min 輔助點火(huo)),載(zai)氣(qi)中(zhong)斷(duan)會(hui)導(dao)致(zhi)等離子(zi)體(ti)無法點燃(ran)。

          • 氣(qi)路(lu)泄(xie)漏:用肥(fei)皂(zao)水(shui)塗(tu)抹(mo)氣(qi)路(lu)接頭(tou)(氣(qi)瓶出(chu)口(kou)、減(jian)壓(ya)閥、儀器(qi)進(jin)氣(qi)口(kou)、管(guan)路(lu)連(lian)接處),若(ruo)冒(mao)泡(pao)則說明(ming)泄(xie)漏,需擰緊(jin)接頭(tou)或(huo)更(geng)換(huan)密(mi)封(feng)圈(quan)(PTFE 材(cai)質常見老化)。

          2. 電(dian)源與(yu)硬件(jian)安(an)全(quan)

          • 確(que)認(ren)儀器(qi)主(zhu)電(dian)源、射頻(RF)電(dian)源、冷卻系(xi)統電(dian)源均(jun)已(yi)接通(tong),無跳(tiao)閘或(huo)斷(duan)電(dian)情況(kuang)。

          • 檢(jian)查冷卻系(xi)統:循(xun)環(huan)水(或(huo)風(feng)冷)需正(zheng)常(chang)工(gong)作(zuo) —— 水冷機水位(wei)在刻(ke)度線之間(jian)、水(shui)溫(wen)穩定在(zai) 20~25℃,若(ruo)水(shui)溫(wen)過高(gao)(>30℃)或(huo)水流(liu)報警(jing),需排(pai)查水(shui)冷機泵(beng)、管(guan)路(lu)堵(du)塞(sai)(水(shui)垢(gou) / 雜質);風(feng)冷儀器(qi)需確(que)認(ren)風(feng)扇轉(zhuan)動(dong)正(zheng)常(chang),散熱(re)口(kou)無遮(zhe)擋。

          • 排(pai)查安(an)全(quan)聯鎖(suo):儀器(qi)門(men)(炬(ju)室門、采樣(yang)錐 / 截(jie)取錐門)需關閉(bi)(聯鎖(suo)開(kai)關觸(chu)發(fa)),若(ruo)門(men)未(wei)關嚴或(huo)聯鎖(suo)開(kai)關故(gu)障(如(ru)接觸不良(liang)),儀器(qi)會(hui)禁止(zhi)點火(huo)(安(an)全(quan)保護機制)。

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