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        1. 產(chan)品搜(sou)索 Search
          產(chan)品目(mu)錄(lu) Product catalog
          深圳(zhen)市心怡(yi)創(chuang)科(ke)技(ji)有限(xian)公司
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          銷(xiao)售(shou)傳(chuan)真:13723416768
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          辦公地(di)址(zhi):深圳(zhen)市寶(bao)安(an)區(qu)西(xi)鄉街(jie)道南昌社區深圳(zhen)前(qian)灣硬科(ke)技(ji)產(chan)業園(yuan)B棟(dong)608-609

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          看(kan)完(wan)本篇(pian)妳(ni)就(jiu)知道什麽是(shi)sem掃描電鏡了
          點(dian)擊(ji)次數(shu):1074 更新時間:2021-11-06
            sem掃描電鏡的(de)制造是(shi)依據電(dian)子(zi)與物(wu)質的(de)相(xiang)互(hu)作(zuo)用。當(dang)壹(yi)束高能的(de)入射(she)電子(zi)轟擊(ji)物質(zhi)表(biao)面(mian)時,被(bei)激(ji)發(fa)的(de)區(qu)域將產(chan)生(sheng)二次電子(zi)、俄歇(xie)電子(zi)、特征(zheng)x射(she)線和(he)連(lian)續(xu)譜X射(she)線、背散射(she)電子(zi)、透(tou)射(she)電子(zi),以及(ji)在(zai)可見、紫(zi)外(wai)、紅外(wai)光(guang)區(qu)域產(chan)生(sheng)的(de)電(dian)磁(ci)輻射(she)。
           
            同時,也可(ke)產(chan)生(sheng)電(dian)子(zi)-空穴(xue)對(dui)、晶(jing)格(ge)振動(dong) (聲子(zi))、電子(zi)振蕩(dang) (等離子(zi)體)。原(yuan)則上講,利(li)用(yong)電(dian)子(zi)和(he)物(wu)質(zhi)的(de)相(xiang)互(hu)作(zuo)用,可(ke)以獲(huo)取(qu)被(bei)測樣(yang)品本身(shen)的(de)各(ge)種(zhong)物(wu)理(li)、化(hua)學(xue)性質的(de)信息(xi),如(ru)形貌(mao)、組(zu)成(cheng)、晶(jing)體結構、電子(zi)結構和(he)內部電場(chang)或磁(ci)場(chang)等等。
           
            掃描電子(zi)顯(xian)微(wei)鏡(jing)正(zheng)是(shi)根據上述不(bu)同信息(xi)產(chan)生(sheng)的(de)機理(li),采(cai)用(yong)不(bu)同的(de)信息(xi)檢測器(qi),使選擇(ze)檢測得(de)以實(shi)現。如(ru)對(dui)二次電子(zi)、背散射(she)電子(zi)的(de)采(cai)集(ji),可(ke)得到有關(guan)物質(zhi)微(wei)觀(guan)形(xing)貌(mao)的(de)信息(xi);對(dui)x射(she)線的(de)采(cai)集(ji),可(ke)得到物質(zhi)化學(xue)成(cheng)分的(de)信息(xi)。正因(yin)如(ru)此,根據不同需(xu)求(qiu),可制造出功能配置(zhi)不同的(de)掃描電子(zi)顯(xian)微(wei)鏡(jing)。
           
            掃描電子(zi)顯(xian)微(wei)鏡(jing)是(shi)1965年(nian)發(fa)明的(de)較(jiao)現代(dai)的(de)細(xi)胞生(sheng)物(wu)學(xue)研(yan)究工(gong)具(ju),主要是(shi)利(li)用(yong)二次電子(zi)信號(hao)成(cheng)像(xiang)來(lai)觀(guan)察(cha)樣(yang)品(pin)的(de)表(biao)面(mian)形(xing)態(tai),即(ji)用極(ji)狹(xia)窄(zhai)的(de)電(dian)子(zi)束去(qu)掃描樣品,通過(guo)電(dian)子(zi)束與(yu)樣品(pin)的(de)相(xiang)互(hu)作(zuo)用產(chan)生(sheng)各(ge)種(zhong)效應,其(qi)中(zhong)主(zhu)要是(shi)樣品的(de)二次電子(zi)發射(she)。
           
            二次電子(zi)能夠產(chan)生(sheng)樣(yang)品(pin)表(biao)面(mian)放(fang)大(da)的(de)形(xing)貌(mao)像,這個(ge)像(xiang)是(shi)在(zai)樣品被(bei)掃描時按時序建立(li)起(qi)來(lai)的(de),即(ji)使用(yong)逐點成(cheng)像(xiang)的(de)方法(fa)獲(huo)得(de)放大(da)像。
           
            SEM的(de)工(gong)作(zuo)原(yuan)理是(shi)用壹束(shu)極(ji)細(xi)的(de)電(dian)子(zi)束掃描樣品,在(zai)樣品表(biao)面(mian)激(ji)發(fa)出次級電子(zi),次級電子(zi)的(de)多(duo)少與電子(zi)束入射(she)角(jiao)有(you)關(guan),也(ye)就是(shi)說與樣(yang)品(pin)的(de)表(biao)面(mian)結構有關,次級電子(zi)由探測體收集,並(bing)在(zai)那裏被(bei)閃爍器(qi)轉變為(wei)光(guang)信號(hao),再經光(guang)電(dian)倍增管(guan)和(he)放(fang)大(da)器轉(zhuan)變為(wei)電信號(hao)來(lai)控(kong)制熒(ying)光(guang)屏(ping)上電子(zi)束的(de)強度(du),顯(xian)示(shi)出與電(dian)子(zi)束同步(bu)的(de)掃描圖像。圖像(xiang)為(wei)立(li)體形象(xiang),反(fan)映(ying)了標(biao)本的(de)表(biao)面(mian)結構。
           
            為(wei)了使標(biao)本表(biao)面(mian)發(fa)射(she)出次級電子(zi),標本在(zai)固(gu)定(ding)、脫(tuo)水後,要噴塗上壹層(ceng)重金(jin)屬微粒,重(zhong)金(jin)屬在(zai)電子(zi)束的(de)轟(hong)擊(ji)下(xia)發(fa)出次級電子(zi)信號(hao)。
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