壹、測試前準(zhun)備(bei)（基(ji)礎(chu)保障）

1. 真空(kong)與環(huan)境

• 真空(kong)達標(biao)：開(kai)機(ji)抽真空(kong)≥2 小(xiao)時(shi)，UHV 需低(di)於 10⁻⁷ mbar；Bakeout（12 小(xiao)時(shi)）後，FT 分(fen)析(xi)器(qi)需穩定≥8 小(xiao)時(shi)，真空(kong)降至(zhi)10⁻¹⁰ mbar 級(ji)再(zai)測試。

• 環(huan)境控制(zhi)：溫度 20–25℃（波動≤±1℃），濕(shi)度 40%–60%；遠(yuan)離振(zhen)動源(yuan)、強(qiang)電(dian)磁場(chang)與通(tong)風(feng)口(kou)，避(bi)免(mian)氣(qi)流直(zhi)吹儀器(qi)。

• 氣(qi)體合規：氮氣(qi)壓力(li)800±30 kPa（8±0.3 bar），純(chun)度≥99.999%；嚴禁漏氣(qi)，開(kai)機(ji)前檢查鋼(gang)瓶(ping)與管(guan)路。

2. 校準(zhun)與調(tiao)諧(xie)（數(shu)據準(zhun)確(que)前提(ti)）

• 日常(chang)校準(zhun)：每日做(zuo)質量(liang)校準(zhun)，受(shou)控(kong)環(huan)境可放寬(kuan)至(zhi)每周；每月(yue)做(zuo)系統(tong)校準(zhun)，保證24 小(xiao)時(shi)內質量(liang)偏(pian)差＜3 ppm。

• 調(tiao)諧(xie)合格指(zhi)標：

• 正(zheng)離子(zi)模(mo)式(shi)：NL＞1.0e8，IT＜5 ms，特(te)征(zheng)峰（m/z 195、524、922–1822 等(deng)）清(qing)晰(xi)。

• 負(fu)離子(zi)模(mo)式(shi)：NL＞1.0e8，IT＜5 ms，特(te)征(zheng)峰（m/z 265、514、980–1880 等(deng)）清(qing)晰(xi)。

• TIC 波(bo)動＜10%（正(zheng)離子(zi)＜7% 更佳），無明(ming)顯(xian)漂移。

• 調諧(xie)要點：

• H-ESI 探針(zhen)裝(zhuang)配正確(que)、針位(wei)精(jing)準(zhun)，噴(pen)霧(wu)電(dian)壓適(shi)配（正離子(zi)約(yue) 4.5 kV，負離子(zi)約(yue) 3.5 kV）。

• 離子(zi)傳(chuan)輸毛細(xi)管(guan)入(ru)口(kou)清(qing)潔(jie)，無堵塞 / 汙(wu)染(ran)；管線(xian)無氣(qi)泡(pao)、無泄漏。

二、樣(yang)品(pin)與溶(rong)劑(ji)（汙(wu)染控(kong)制）

• 樣(yang)品(pin)前處(chu)理：

• 不(bu)含(han)鹽(yan)、緩沖鹽(yan)、DMSO/THF/DMF 等(deng)高(gao)抑制基(ji)質；必要時(shi)固(gu)相萃(cui)取(qu)（SPE）或固(gu)相微萃(cui)取(qu)（SPME）凈化(hua)，過(guo)濾（0.22 μm，MS 兼(jian)容濾膜）。

• 濃(nong)度(du)適(shi)配：避(bi)免(mian)過(guo)濃(nong)導(dao)致(zhi)離子(zi)抑制或檢測器(qi)飽和(he)，壹般(ban)樣(yang)品(pin)濃(nong)度(du) ng/mL–μg/mL 級(ji)，可先稀(xi)釋(shi) 10–100 倍(bei)預(yu)實(shi)驗。

• 溶劑(ji)規範：

• 僅(jin)用(yong) LC-MS 級 / Optima 級(ji)溶劑(ji)（乙腈(jing)、甲(jia)醇、水等(deng)），嚴(yan)禁含不(bu)揮發性(xing)雜(za)質的溶(rong)劑。

• 流動相(xiang)需脫氣(qi)（超(chao)聲(sheng) / 氦(hai)氣(qi)脫氣(qi)），防(fang)止(zhi)氣(qi)泡(pao)導致(zhi)噴(pen)霧(wu)不(bu)穩(wen)定或信號(hao)中斷。

• 防(fang)交叉汙(wu)染：

• 高濃(nong)度(du)樣(yang)品(pin)後用(yong)空白(bai)溶劑充(chong)分(fen)沖洗(xi)（≥10 倍(bei)柱(zhu)體積），設(she)置(zhi)洗(xi)針(zhen)程(cheng)序。

• 序列中插入空白(bai)與質控樣(yang)品(pin)，監(jian)控殘(can)留；RSD＞15% 時(shi)延(yan)長沖洗(xi)時(shi)間(jian)或更換色(se)譜(pu)柱(zhu)。

三、離子(zi)源與接口(kou)操(cao)作(zuo)（信(xin)號(hao)穩定關(guan)鍵(jian)）

四、數(shu)據采集(ji)設置(zhi)（方法(fa)優(you)化(hua)）

1. 掃(sao)描參(can)數(shu)

• 分(fen)辨(bian)率選擇(ze)：

• 全掃(sao)描（FS）定性(xing)：70,000（m/z 200），配合鎖質量(liang)，提(ti)升同(tong)位素精(jing)細(xi)度(du)。

• 極(ji)性(xing)切(qie)換 FS：降(jiang)至35,000，保(bao)證循(xun)環(huan)時(shi)間(jian)與數(shu)據點密(mi)度。

• PRM 定量(liang)：17,500即可，依靠 MS² 選擇(ze)性(xing)保(bao)證(zheng)特(te)異性(xing)。

• AGC 與註(zhu)入時(shi)間(jian)：

• AGC 目(mu)標：全掃(sao)描 1e6，MS² 1e5；避(bi)免(mian)過(guo)高(gao)導(dao)致(zhi)空(kong)間(jian)電(dian)荷、過(guo)低(di)損(sun)失(shi)靈敏度。

• 註(zhu)入時(shi)間(jian)：＜50 ms（常(chang)規＜10 ms），防(fang)止(zhi)飽和(he)與分(fen)辨(bian)率下降(jiang)。

• 鎖質量(liang)：正(zheng)離子(zi) m/z 371.1012，負離子(zi) m/z 429.0887；開(kai)啟(qi)後質量(liang)精(jing)度提(ti)升至(zhi) **≤1 ppm**。

2. 序列與質控

• 序列編排：空白(bai)→低(di)濃(nong)度(du)→中(zhong)濃(nong)度(du)→高(gao)濃(nong)度(du)→空(kong)白(bai)，減少(shao)殘(can)留影響(xiang)。

• 質控（QC）：每 10 個(ge)樣(yang)品(pin)插入(ru) 1 個(ge) QC，偏(pian)差＞**±15%** 時(shi)停(ting)止(zhi)分(fen)析(xi)，排(pai)查(zha)系(xi)統(tong)問(wen)題。

• 數(shu)據後處(chu)理：Xcalibur 軟(ruan)件中啟用(yong)質量(liang)軸(zhou)校正、基(ji)線扣(kou)除(chu)、同(tong)位素匹(pi)配，確(que)保結(jie)果(guo)可(ke)靠。

五、測試中監(jian)控與異常(chang)處(chu)理

• 實(shi)時(shi)監(jian)控指標：

• TIC 穩(wen)定性(xing)：波(bo)動＞10% 時(shi)檢查噴(pen)霧(wu)、氣(qi)流、毛細(xi)管(guan)清(qing)潔(jie)度。

• 質量(liang)精(jing)度：連(lian)續(xu) 3 個(ge) QC 偏(pian)差＞3 ppm→立(li)即重新(xin)校準(zhun)。

• 靈敏度：信號(hao)強(qiang)度(du)下降(jiang)＞50%→檢查離子(zi)源汙(wu)染(ran)、管(guan)路泄漏或泵流速異常(chang)。

• 常(chang)見故(gu)障排查(zha)：

• 無信(xin)號(hao)：確(que)認(ren)噴(pen)霧(wu)電(dian)壓 / 氣(qi)流開(kai)啟(qi)、探(tan)針(zhen)位置(zhi)正確(que)、管路無堵無漏。

• 質量(liang)漂移：環(huan)境波動→控(kong)溫；未(wei)校準(zhun)→執(zhi)行質量(liang)校準(zhun)；離子(zi)源汙(wu)染(ran)→清(qing)洗(xi)探(tan)針(zhen)與毛細(xi)管(guan)。

• 高(gao)背(bei)景：溶劑不(bu)純(chun)→更換 LC-MS 級(ji)溶劑(ji)；離子(zi)源臟(zang)→Bakeout 並清(qing)洗(xi)接口(kou)部(bu)件。

六、安全與關(guan)機(ji)規範

1. 安(an)全操作

• 高壓防(fang)護(hu)：操(cao)作離子(zi)源時(shi)先(xian)斷高壓（Standby 模(mo)式(shi)），佩(pei)戴(dai)無粉手(shou)套(tao)，避(bi)免(mian)觸(chu)電(dian)。

• 化(hua)學(xue)安(an)全：有(you)機(ji)廢液分(fen)類收集(ji)，通(tong)風(feng)櫥內處(chu)理高(gao)揮發性(xing)溶(rong)劑(ji)；THF 等(deng)易(yi)燃(ran)溶(rong)劑(ji)必須(xu)用(yong)氮氣(qi)，嚴(yan)禁空氣(qi)接觸(chu)。

• 機(ji)械(xie)安(an)全：分(fen)子渦輪(lun)泵運(yun)行(xing)時(shi)禁止開(kai)蓋(gai)；關(guan)機(ji)後等(deng)待(dai)≥15 分(fen)鐘，待泵停(ting)轉(zhuan)再(zai)斷氣(qi)。

2. 關(guan)機(ji)流程(cheng)

1. 停(ting)止(zhi)數(shu)據采集(ji)，關(guan)閉(bi)液相(xiang)流路。

2. Tune 中設為(wei) Standby（關(guan)高(gao)壓、鞘(qiao)氣(qi) / 輔(fu)助氣(qi)），關(guan)閉(bi)軟件。

3. 關(guan)閉(bi)電子開(kai)關(guan)（Electronic Switch），再(zai)關(guan)真空(kong)泵開(kai)關(guan)。

4. 等(deng)待(dai)≥15 分(fen)鐘後，關(guan)閉(bi)氮氣(qi)鋼(gang)瓶(ping)減壓閥。

七(qi)、日常(chang)維(wei)護(hu)（延(yan)長壽(shou)命(ming)）

八(ba)、關(guan)鍵(jian)閾值速(su)查(zha)表(biao)（快速(su)自查(zha)）

總結(jie)